| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·GaN 及其异质结材料的特点与优势 | 第11-12页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 研究现状 | 第12-14页 |
| ·本文主要工作安排 | 第14-17页 |
| 第二章 GaN 基异质结的理论基础及表征手段 | 第17-35页 |
| ·GaN 基异质结形成的物理基础 | 第17-18页 |
| ·GaN 基异质结 2DEG 的形成 | 第18-23页 |
| ·材料表征手段 | 第23-33页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-24页 |
| ·电学表征 | 第24-27页 |
| ·应力表征 | 第27-30页 |
| ·X 射线光电子谱 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结的影响机制研究 | 第35-57页 |
| ·材料制备 | 第35-37页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第35-36页 |
| ·高 K 介质的生长 | 第36-37页 |
| ·高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌影响 | 第37-38页 |
| ·高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结的电学特性影响 | 第38-43页 |
| ·霍尔效应测试 | 第38-40页 |
| ·电容-电压测试 | 第40-43页 |
| ·高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结应力和极化效应的影响 | 第43-47页 |
| ·应力计算 | 第43-46页 |
| ·极化诱生电荷面密度的计算 | 第46-47页 |
| ·高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结表面电势的影响 | 第47-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 高 K 介质对不同结构 GaN 异质结的影响研究 | 第57-81页 |
| ·InAlN/GaN 异质结材料的制备 | 第57-59页 |
| ·表面形貌分析 | 第59-60页 |
| ·电学特性分析 | 第60-68页 |
| ·电容-电压测试 | 第61-64页 |
| ·霍尔效应测试 | 第64-68页 |
| ·应力和极化效应分析 | 第68-78页 |
| ·应力分析 | 第68-76页 |
| ·极化效应分析 | 第76-78页 |
| ·表面电势分析 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第五章 结束语 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 攻读硕士期间的科研成果和参加的科研项目 | 第91-93页 |
