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超深亚微米MOS器件单粒子翻转截面计算方法研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·研究背景和意义第8-10页
   ·论文结构第10-12页
第二章 超深亚微米器件单粒子翻转截面计算基础第12-26页
   ·翻转截面概念和定义第12页
   ·翻转截面测量方法第12-16页
     ·重离子加速器试验第13-14页
     ·质子加速器试验第14-15页
     ·脉冲激光模拟试验第15-16页
   ·翻转截面曲线及其 Weibull 拟合第16-20页
     ·翻转截面曲线第16-17页
     ·翻转截面曲线 Weibull 拟合第17-18页
     ·翻转截面曲线 Weibull 拟合符合度的判定方法第18-20页
   ·超深亚微米器件单粒子翻转新效应及其机理研究第20-24页
     ·SRAM 单粒子翻转机理第20-21页
     ·多位翻转第21页
     ·超深亚微米器件单粒子多位翻转的机理研究第21-24页
   ·小结第24-26页
第三章 超深亚微米器件单粒子翻转截面计算的模型研究第26-40页
   ·深亚微米器件单粒子效应的 RPP 模型第26-28页
     ·敏感体积第26-27页
     ·RPP 模型第27-28页
   ·超深亚微米器件考虑电荷共享的单粒子效应新模型第28-35页
     ·RPP 模型不适用于超深亚微米器件分析第28-29页
     ·几何模型的建立第29-33页
     ·超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型第33-35页
   ·电荷共享单粒子多位翻转的判定第35-37页
     ·临界电荷第35-37页
     ·多位翻转的判定第37页
   ·超深亚微米器件基于新模型的单粒子翻转截面的计算方法第37-39页
   ·小结第39-40页
第四章 超深亚微米器件单粒子翻转截面计算的算法实现第40-58页
   ·算法流程第40-42页
     ·计算电荷收集量的算法流程第40-41页
     ·计算翻转截面的算法流程第41-42页
   ·粒子入射引起的电荷共享收集第42-50页
     ·粒子入射漏区时相邻敏感单元间的电荷共享收集第42-46页
     ·粒子入射漏区周围时相邻敏感单元间的电荷共享收集第46-50页
   ·超深亚微米器件单粒子翻转截面仿真结果及验证第50-56页
     ·重离子引起单粒子翻转的翻转截面第50-54页
     ·单位翻转截面、多位翻转截面与单粒子翻转截面之间的关系第54-56页
   ·小结第56-58页
第五章 结论与展望第58-60页
   ·论文总结第58页
   ·展望第58-60页
致谢第60-62页
参考文献第62-66页
攻读硕士期间成果第66-67页

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