| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-45页 |
| ·ZnO 基材料的基本性质 | 第12-16页 |
| ·ZnO 基薄膜材料和器件的研究现状及进展 | 第16-41页 |
| ·ZnO 薄膜在实现光电器件应用中存在的问题 | 第41-43页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第43-45页 |
| 第二章 ZnO 薄膜制备与表征常用手段 | 第45-77页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第45-57页 |
| ·薄膜性质表征手段 | 第57-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第三章 高质量 ZnO 薄膜的制备与表征 | 第77-85页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第77-78页 |
| ·ZnO 薄膜的表征 | 第78-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第四章 基于高质量 ZnO 薄膜的紫外光电探测器件研究 | 第85-97页 |
| ·ZnO 基 MSM 结构紫外探测器件的制备 | 第85-88页 |
| ·MSM 结构 ZnO 薄膜紫外探测器件性能研究 | 第88-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第五章 MgZnO p 型掺杂及其在发光器件上的应用 | 第97-117页 |
| ·Li,N 共掺杂 MgZnO 合金薄膜的制备和光电性质 | 第98-101页 |
| ·ZnO 基单异质结的制备与研究 | 第101-107页 |
| ·ZnO 基单异质结发光性能的改善 | 第107-110页 |
| ·MgZnO 基短波长 pn 结发光器件的研究 | 第110-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第六章 结论与展望 | 第117-119页 |
| ·结论 | 第117-118页 |
| ·研究展望 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第129-131页 |
| 指导教师及作者简介 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
