100KPa多晶硅纳米膜压力芯片研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·牺牲层结构压力传感器 | 第11-12页 |
| ·多晶硅纳米薄膜的特性 | 第12页 |
| ·论文的主要工作内容 | 第12-13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 第二章 压力芯片结构 | 第14-35页 |
| ·弹性膜片设计 | 第14-22页 |
| ·弹性膜片宽长比对应变分布的影响 | 第15-16页 |
| ·弹性膜片厚度对应变分布的影响 | 第16-17页 |
| ·弹性膜片宽度对应变分布的影响 | 第17-18页 |
| ·牺牲层厚度对应变分布的影响 | 第18-20页 |
| ·有限元接触分析 | 第20-22页 |
| ·过载保护结构设计 | 第22-26页 |
| ·过载能力及其极限值 | 第22-24页 |
| ·牺牲层厚度与过载能力间的关系 | 第24-25页 |
| ·讨论 | 第25-26页 |
| ·结论 | 第26页 |
| ·氧化层对应变分布的影响 | 第26-28页 |
| ·压阻全桥原理与电阻条设计 | 第28-34页 |
| ·压阻全桥原理 | 第28-30页 |
| ·电阻条设计 | 第30-32页 |
| ·补偿电路 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 压力芯片工艺 | 第35-42页 |
| ·压力芯片工艺流程 | 第35-38页 |
| ·表面牺牲层技术中的关键工艺 | 第38-41页 |
| ·多晶硅薄膜、氧化硅薄膜的制备与刻蚀 | 第38-39页 |
| ·牺牲层腐蚀技术 | 第39页 |
| ·残余应力研究 | 第39-40页 |
| ·黏附机制和抗黏附方法 | 第40-41页 |
| ·与集成电路工艺的兼容制作 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 压力芯片版图 | 第42-47页 |
| ·版图设计 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 压力芯片封装 | 第47-49页 |
| ·压力芯片封装流程 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 测试结果与分析 | 第49-53页 |
| ·压力芯片 | 第49页 |
| ·电阻均匀性测试结果 | 第49-50页 |
| ·输出特性测试 | 第50-52页 |
| ·测试结果分析 | 第52-53页 |
| 第七章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 在学研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
