| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·概述 | 第8-9页 |
| ·GaN基稀磁半导体材料的国内外研究近况及发展趋势 | 第9-13页 |
| ·GaN基材料的特性 | 第13-17页 |
| ·GaN晶体结构的特性和物理性质 | 第13-16页 |
| ·化学性质 | 第16页 |
| ·GaN的光学特性 | 第16-17页 |
| ·GaN的电学特性 | 第17页 |
| ·GaN基材料的器件应用 | 第17-20页 |
| ·蓝光发光器件 | 第17-18页 |
| ·高频高功率电子器件 | 第18-19页 |
| ·紫外探测器 | 第19-20页 |
| ·高温电子器件 | 第20页 |
| ·论文选题依据及意义 | 第20-21页 |
| ·论文主要工作 | 第21-22页 |
| 2 薄膜生长理论和分析方法 | 第22-32页 |
| ·薄膜的成核原理 | 第22-25页 |
| ·外延单晶薄膜生长类型 | 第25-26页 |
| ·岛状生长模式 | 第25页 |
| ·层状生长模式 | 第25页 |
| ·混合生长模式 | 第25-26页 |
| ·薄膜的分析技术 | 第26-31页 |
| ·反射高能电子衍射 | 第26-28页 |
| ·X射线衍射 | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| ·电子探针 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 3 实验设备及原理 | 第32-39页 |
| ·ESPD-U及其原理 | 第32-36页 |
| ·低压等离子体增强化学气相沉积原理 | 第32-33页 |
| ·ESPD-U中低温等离子体的产生及特点 | 第33-35页 |
| ·ESPD-U-PEMOCVD的总体结构及其特征 | 第35-36页 |
| ·红外测温系统 | 第36-37页 |
| ·本实验室的RHEED装置 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 4 实验结果及讨论 | 第39-57页 |
| ·衬底、氮源、镓源和锰源的选择 | 第40-42页 |
| ·衬底材料的选择 | 第41页 |
| ·氮源、镓源和锰源的选择 | 第41-42页 |
| ·清洗实验 | 第42-44页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第42-43页 |
| ·等离子体清洗 | 第43-44页 |
| ·氮化实验 | 第44-49页 |
| ·各种条件对氮化的影响 | 第45-47页 |
| ·微波功率对氮化结果的影响 | 第47-49页 |
| ·各种氮化条件下缓冲层及后续生长 | 第49-51页 |
| ·GaN基掺锰稀磁半导体的初步生长 | 第51-55页 |
| ·AFM分析 | 第53页 |
| ·电子探针 | 第53-54页 |
| ·拉曼分析 | 第54页 |
| ·XRD分析 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 5 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第65页 |