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一维GaN纳米结构和GaN薄膜的制备及其特性研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-10页
第一章 绪论第10-26页
 第一节 GAN 材料的基本性质第10-14页
 第二节 GAN 薄膜材料的研究进展第14-18页
 第三节 一维GAN 纳米材料的研究概况第18-24页
 第四节 本论文的选题依据和主要实验内容第24-26页
第二章 实验设备和测试表征方法第26-32页
 第一节 实验设备介绍第26-29页
 第二节 样品的测试和表征技术第29-32页
第三章 氨化磁控溅射GA_2O_3/BN 薄膜制备一维GAN 纳米结构第32-54页
 第一节 一维GAN 纳米结构的制备第32-33页
 第二节 氨化温度对合成一维GAN 纳米结构的影响第33-45页
 第三节 氨化时间对合成一维GAN 纳米结构的影响第45-47页
 第四节 中间层厚度对合成一维GAN 纳米结构的影响第47-49页
 第五节 一维GAN 纳米结构的生长机制初探第49-54页
第四章 溶胶―凝胶法制备GAN 薄膜第54-66页
 第一节 GAN 薄膜样品的制备第54-55页
 第二节 GAAS 衬底上制备的GAN 薄膜的特性分析第55-58页
 第三节 SI衬底上制备的GAN 薄膜的特性分析第58-62页
 第四节 一维GAN 纳米线的合成第62-66页
第五章 电泳沉积法制备GAN 薄膜第66-74页
 第一节 GAN 薄膜样品的制备第66页
 第二节 GAN 薄膜的特性分析第66-74页
第六章 结论第74-78页
参考文献第78-86页
攻读硕士学位期间发表的论文目录第86-90页
致谢第90页

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