| 第1章 前言 | 第1-13页 |
| 第2章 文献综述 | 第13-36页 |
| §2.1 引言 | 第13-14页 |
| §2.2 直拉硅单晶中的氧 | 第14-18页 |
| ·硅中氧的引入 | 第14-15页 |
| ·硅中氧的基本性质 | 第15-16页 |
| ·硅中氧的测量 | 第16-17页 |
| ·硅中氧的扩散 | 第17-18页 |
| §2.3 直拉硅单晶中的热施主 | 第18-21页 |
| §2.4 直拉硅单晶中的氧沉淀 | 第21-27页 |
| ·氧沉淀的形核 | 第21-22页 |
| ·氧沉淀的形貌 | 第22-24页 |
| ·快速热处理(RTP)对氧沉淀的影响 | 第24-25页 |
| ·掺氮对氧沉淀的影响 | 第25-27页 |
| §2.5 直拉硅单晶中内吸杂 | 第27-31页 |
| ·高-低-高内吸杂工艺 | 第27-28页 |
| ·MDZ内吸杂工艺 | 第28-30页 |
| ·掺氮硅片的内吸杂研究 | 第30-31页 |
| §2.6 直拉硅单晶中辐照缺陷的研究 | 第31-34页 |
| ·辐照缺陷 | 第31-33页 |
| ·辐照缺陷对热施主的影响 | 第33页 |
| ·辐照缺陷对氧沉淀的影响 | 第33-34页 |
| §2.7 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 实验方案和实验设备 | 第36-45页 |
| §3.1 实验样品 | 第36-37页 |
| ·CZ和NCZ硅样品 | 第36页 |
| ·中子辐照硅样品 | 第36-37页 |
| ·热处理样品的制备 | 第37页 |
| §3.2 实验方案 | 第37-39页 |
| §3.3 热处理设备 | 第39页 |
| ·扩散炉 | 第39页 |
| ·RTP快速热处理炉 | 第39页 |
| §3.4 测试设备 | 第39-45页 |
| ·FTIR光谱仪的构造 | 第40-41页 |
| ·FTIR光谱仪的工作原理 | 第41-43页 |
| ·FTIR光谱在硅材料测试中的应用 | 第43-45页 |
| 第4章 低温预处理对直拉硅中氧沉淀行为的影响 | 第45-65页 |
| §4.1 引言 | 第45-46页 |
| §4.2 实验 | 第46-47页 |
| §4.3 低温线性升温(Ramping)预处理对氧沉淀的影响 | 第47-54页 |
| ·300～750℃ Ramping对氧沉淀的影响 | 第47-48页 |
| ·低温Ramping的起始温度对CZ和NCZ硅中氧沉淀的影响 | 第48-51页 |
| ·低温Ramping过程中氧的快速扩散 | 第51-53页 |
| ·RTP预处理对低温Ramping处理的CZ硅中氧沉淀的影响 | 第53-54页 |
| §4.4 低温恒温热处理对CZ和NCZ硅中氧沉淀的作用 | 第54-56页 |
| §4.5 基于低温Ramping的内吸杂工艺 | 第56-58页 |
| §4.6 低温Ramping处理对氧沉淀形貌的影响 | 第58-62页 |
| §4.7 低温Ramping对氧化诱生层错(OSF)的影响 | 第62-63页 |
| §4.8 本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 直拉硅在普通炉热处理下的氧沉淀和内吸杂 | 第65-82页 |
| §5.1 引言 | 第65-66页 |
| §5.2 实验 | 第66-67页 |
| §5.3 热处理气氛对CZ硅片内吸杂的影响 | 第67-74页 |
| ·热处理气氛对氧的外扩散的影响 | 第67-69页 |
| ·热处理气氛对氧沉淀的影响 | 第69-72页 |
| ·氧沉淀在不同气氛下的热稳定性 | 第72-74页 |
| §5.4 掺氮对CZ硅片内吸杂的影响 | 第74-81页 |
| ·氮对硅中氧沉淀分布的影响 | 第74-77页 |
| ·NCZ硅中洁净区(DZ)的完整性 | 第77-81页 |
| §5.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 第6章 快速热处理对直拉硅的氧沉淀和内吸杂的影响 | 第82-98页 |
| §6.1 引言 | 第82-83页 |
| §6.2 实验 | 第83-84页 |
| §6.3 RTP对CZ硅片中氧外扩散的影响 | 第84-86页 |
| ·RTP温度和时间对氧的外扩散的影响 | 第84-86页 |
| ·RTP气氛对氧的外扩散的影响 | 第86页 |
| §6.4 CZ硅片基于RTP的内吸杂研究 | 第86-90页 |
| §6.5 NCZ硅片基于RTP的内吸杂研究 | 第90-93页 |
| §6.6 氮对RTP预处理的硅片中氧沉淀分布的影响 | 第93-97页 |
| §6.7 本章小结 | 第97-98页 |
| 第7章 中子辐照硅中热施主和氧沉淀的研究 | 第98-120页 |
| §7.1 引言 | 第98-99页 |
| §7.2 实验 | 第99-100页 |
| §7.3 中子辐照对CZ硅中热施主的影响 | 第100-106页 |
| ·辐照缺陷对CZ硅中热施主的影响 | 第100-103页 |
| ·VO_n复合体对CZ硅中热施主的影响 | 第103-106页 |
| §7.4 中子辐照对CZ硅中氧沉淀的影响 | 第106-119页 |
| ·VO复合体对低温热处理中氧沉淀的影响 | 第106-107页 |
| ·空位对高温热处理中氧外扩散的影响 | 第107-108页 |
| ·空位对高温热处理中氧沉淀的影响 | 第108-111页 |
| ·中子辐照硅中氧沉淀的Ostwald熟化现象 | 第111-113页 |
| ·中子辐照硅中氧沉淀的热稳定性 | 第113-116页 |
| ·掺氮对中子辐照硅中氧沉淀的影响 | 第116-119页 |
| §7.5 本章小结 | 第119-120页 |
| 第8章 总结 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 攻读博士期间发表和待发表的论文 | 第135页 |
