| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| ·射频 MEMS 开关的研究背景及意义 | 第6-7页 |
| ·射频 MEMS 开关的研究进展 | 第7-9页 |
| ·本论文的主要内容 | 第9-10页 |
| 第二章 射频 MEMS 开关的工作原理及其基本结构 | 第10-16页 |
| ·射频 MEMS 开关的基本工作原理 | 第10-14页 |
| ·射频 MEMS 开关的分类 | 第10-11页 |
| ·电容式开关的工作原理及其基本结构 | 第11-12页 |
| ·接触式开关的工作原理及其基本结构 | 第12-14页 |
| ·本文设计的射频 MEMS 开关结构及其制作工艺 | 第14-15页 |
| ·本文的开关结构及其工作原理 | 第14页 |
| ·接触式射频 MEMS 开关的工艺设计及材料选择 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第三章 射频 MEMS 开关的制作工艺研究 | 第16-40页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·射频 MEMS 开关中金属剥离工艺的研究 | 第16-25页 |
| ·剥离工艺的原理及应用 | 第16-17页 |
| ·金属剥离工艺研究 | 第17-23页 |
| ·结论 | 第23-25页 |
| ·PECVD 生长氮化硅工艺的研究 | 第25-30页 |
| ·PECVD 生长氮化硅的原理 | 第25-26页 |
| ·工艺实验 | 第26页 |
| ·PECVD 生长工艺研究 | 第26-29页 |
| ·结论 | 第29-30页 |
| ·金属薄膜的淀积工艺研究 | 第30-33页 |
| ·金属薄膜沉积的原理 | 第30-31页 |
| ·工艺实验 | 第31页 |
| ·工艺研究 | 第31-33页 |
| ·结论 | 第33页 |
| ·射频 MEMS 开关中刻蚀工艺的研究 | 第33-39页 |
| ·ICP 刻蚀氮化硅 | 第34-35页 |
| ·聚酰亚胺的刻蚀 | 第35-38页 |
| ·湿法腐蚀去 Al 和 Cr | 第38页 |
| ·结论 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 射频 MEMS 开关的直流特性测试 | 第40-50页 |
| ·测试方法 | 第40页 |
| ·氮化硅薄膜悬梁悬起高度的测试 | 第40-43页 |
| ·测量结果 | 第40-43页 |
| ·结论 | 第43页 |
| ·接触式射频 MEMS 开关直流特性的测试 | 第43-49页 |
| ·接触式射频 MEMS 开关的通断特性测试 | 第44页 |
| ·划片连线工艺 | 第44-45页 |
| ·接触式射频 MEMS 开关驱动特性的测试 | 第45-47页 |
| ·接触式射频 MEMS 开关下拉高度的测试 | 第47-49页 |
| ·结论 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第56页 |