| 1． 概述 | 第1-17页 |
| 1．1． 硅单晶生长原理及感应加热现状 | 第10-13页 |
| 1．1．1 硅单晶生长的工作原理 | 第10-11页 |
| 1．1．2 国内外感应加热技术的发展与现状 | 第11-13页 |
| 1．2 驱动电路及并联技术的发展现状 | 第13-14页 |
| 1．3 选题意义、目的和任务 | 第14-17页 |
| 1．3．1 选题意义 | 第14-15页 |
| 1．3．2 课题的研究背景 | 第15-16页 |
| 1．3．3 本课题的目的及任务 | 第16页 |
| 1．3．4 课题难点及解决方法 | 第16-17页 |
| 2． MOSFET工作原理及基本特性 | 第17-31页 |
| 2．1 MOSFET基本工作原理 | 第17-20页 |
| 2．2 MOSFET基本特性 | 第20-31页 |
| 2．2．1 静态特性 | 第20-24页 |
| 2．2．2 动态特性 | 第24-31页 |
| 3． 功率MOSFET驱动电路研究 | 第31-45页 |
| 3．1 功率MOSFET驱动特点与类型 | 第31-36页 |
| 3．1．1 栅极驱动的特点 | 第31-32页 |
| 3．1．2 驱动电路类型 | 第32页 |
| 3．1．3 高速MOSFET驱动器设计中应考虑的问题 | 第32-36页 |
| 3．2 功率MOSFET驱动电路 | 第36-45页 |
| 3．2．1 开关过程分析 | 第36-40页 |
| 3．2．2 实验线路及参数计算 | 第40-45页 |
| 4． 功率MOSFET并联仿真研究 | 第45-73页 |
| 4．1 导致功率MOSFET并联时电流不均的原因 | 第45-46页 |
| 4．2 静态均流特性 | 第46-49页 |
| 4．3 动态均流特性 | 第49-50页 |
| 4．4 PSPICE仿真分析 | 第50-73页 |
| 4．4．1 源漏极电感对并联的影响 | 第50-58页 |
| 4．4．2 栅极引线电感对并联的影响 | 第58-63页 |
| 4．4．3 工作频率对并联均流的影响 | 第63-65页 |
| 4．3．4 器件参数对并联均流的影响 | 第65-66页 |
| 4．4．5 线路布局对并联均流的影响 | 第66-69页 |
| 4．4．6 采用调节栅极电阻改善电流不均衡情况 | 第69-73页 |
| 5． 实验结果及分析 | 第73-82页 |
| 5．1 系统参数及波形测量所使用的主要仪器 | 第73页 |
| 5．2 实验波形及分析 | 第73-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 论文发表情况 | 第89页 |