| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-34页 |
| ·硅基光电子学的提出及意义 | 第11-14页 |
| ·微电子工业发展将面临的难题 | 第11-12页 |
| ·硅基光电子学的提出 | 第12-14页 |
| ·硅基发光材料的研究现状 | 第14-24页 |
| ·体硅材料的发光性能 | 第14-16页 |
| ·硅基发光材料的总体研究进展 | 第16-24页 |
| ·富Si氮化硅薄膜的发光研究进展 | 第24-33页 |
| ·氮化硅薄膜的性质及应用 | 第24-25页 |
| ·富Si氮化硅薄膜的制备 | 第25-27页 |
| ·富Si氮化硅薄膜的光致发光及电致发光研究 | 第27-33页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第33-34页 |
| 第三章 SiN_x薄膜和电致发光器件的制备及表征 | 第34-41页 |
| ·PECVD薄膜沉积系统 | 第34-35页 |
| ·薄膜表征设备 | 第35-38页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第35-36页 |
| ·椭偏光谱仪(Spectroscopic Ellipsometry) | 第36-37页 |
| ·傅立叶转换红外光谱仪(FTIR) | 第37页 |
| ·紫外可见吸收(透射)谱仪(UV-Vis) | 第37-38页 |
| ·电极制备及相关设备 | 第38-40页 |
| ·磁控溅射法(Magnetron Sputtering,MS)制备ITO电极 | 第38页 |
| ·电子束蒸发法(EBE)制备Al电极 | 第38-39页 |
| ·磁控溅射和电子束蒸发设备 | 第39-40页 |
| ·光致发光及电致发光测试设备 | 第40页 |
| ·光致发光稳态谱及电致发光谱测试 | 第40页 |
| ·光致发光时间分辨谱测试 | 第40页 |
| ·电学性能测试设备 | 第40页 |
| ·后续热处理设备 | 第40-41页 |
| 第四章 不同Si含量SiN_x薄膜的光电性能研究 | 第41-60页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验过程 | 第41-44页 |
| ·衬底清洗 | 第41-42页 |
| ·薄膜沉积及器件制备 | 第42-43页 |
| ·薄膜表征及性能测试 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-59页 |
| ·SiN_x薄膜的表面及截面形貌 | 第44页 |
| ·不同Si含量SiN_x薄膜的椭偏光谱 | 第44-45页 |
| ·不同Si含量SiN_x薄膜的FTIR谱 | 第45-46页 |
| ·不同Si含量SiN_x薄膜的紫外可见吸收谱 | 第46-47页 |
| ·不同Si含量SiN_x薄膜的光致发光(PL) | 第47-51页 |
| ·SiN_x薄膜的电学性能及其电致发光 | 第51-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 等离子体处理对SiN_x薄膜光电性能的影响 | 第60-71页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验过程 | 第60-62页 |
| ·NH_3等离子体实验 | 第60-61页 |
| ·N_2O等离子体实验 | 第61页 |
| ·表征及性能测试 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-70页 |
| ·NH_3等离子体 | 第62-66页 |
| ·N_2O等离子体 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 SiO_2电子加速层对SiN_x薄膜光电性能的影响 | 第71-80页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·实验过程 | 第72-73页 |
| ·样品制备 | 第72页 |
| ·性能测试 | 第72-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-79页 |
| ·光致发光 | 第73-74页 |
| ·I-V曲线及电致发光 | 第74-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第七章 全文总结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
