| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·TCO薄膜的掺杂机理 | 第10-11页 |
| ·n型透明导电氧化物 | 第11-16页 |
| ·ZnO基TCO薄膜 | 第11-12页 |
| ·SnO_2基TCO薄膜 | 第12-14页 |
| ·In_2O_3基透明导电氧化物薄膜 | 第14-15页 |
| ·多元透明导电氧化物薄膜 | 第15-16页 |
| ·p型透明导电氧化物薄膜 | 第16-24页 |
| ·铜铁矿结构p型TCO薄膜 | 第16-19页 |
| ·p型ZnO薄膜 | 第19-22页 |
| ·p型SnO_2的掺杂研究 | 第22-24页 |
| ·Sb_2O_4的基本性质 | 第24-25页 |
| ·SnO_2薄膜的性质 | 第25-26页 |
| ·研究目的和意义 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第2章 氧化物薄膜的制备及性能表征 | 第29-39页 |
| ·磁控溅射法 | 第29-31页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第29-30页 |
| ·溅射镀膜的墓本原理 | 第30-31页 |
| ·薄膜生长模式 | 第31页 |
| ·直流反应磁控溅射技术 | 第31-34页 |
| ·磁控溅射工作原理 | 第31-32页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第32-33页 |
| ·直流磁控溅射薄膜微观结构的影响因素 | 第33-34页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第34-36页 |
| ·薄膜制备的准备工作 | 第34页 |
| ·薄膜的制备 | 第34-36页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第36-38页 |
| ·薄膜的晶体学性能 | 第36页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第36-37页 |
| ·薄膜的表面形貌和成分分析 | 第37页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第37-38页 |
| ·薄膜元素的化学状态 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 氧化锑掺锡薄膜的研究 | 第39-53页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜性能的影响 | 第39-45页 |
| ·晶体结构 | 第39-40页 |
| ·表面形貌 | 第40-41页 |
| ·光学性能 | 第41-43页 |
| ·电学性能 | 第43-45页 |
| ·Sn/Sb比对薄膜性能的影响 | 第45-49页 |
| ·晶体结构 | 第45-46页 |
| ·光学性能 | 第46-47页 |
| ·电学性能 | 第47-49页 |
| ·热处理温度对薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| ·晶体结构及表面形貌 | 第49-51页 |
| ·电学性能 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 二氧化锡掺锑薄膜的研究 | 第53-68页 |
| ·掺Sb的SnO_2薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-64页 |
| ·不同O_2流量(总流量 220sccm)对Sb_2O_4:Sn薄膜性能的影响 | 第54-61页 |
| ·不同气体流量(总流量 272sccm)对SnO_2:Sb薄膜性能的影响 | 第61-64页 |
| ·Sn/Sb比对SnO_2:Sb薄膜性能的影响 | 第64-67页 |
| ·晶体结构 | 第64-65页 |
| ·电学性能 | 第65-66页 |
| ·光学性能 | 第66-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| 第5章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-78页 |
| 作者简历 | 第78页 |