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EBIT中等离子体的分析和高电荷态离子与固体表面溅射实验的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-10页
第一章 概述第10-32页
   ·高电荷态离子的特性及用途第10-11页
   ·高电荷态离子的产生第11-16页
     ·自然界中的高电荷态离子第11页
     ·加速器产生的高电荷态离子第11-12页
     ·离子源产生的高电荷态离子第12-16页
   ·高电荷态离子与固体相互作用的过程第16-19页
   ·高电荷态离子物理的研究进展第19-31页
     ·高电荷态离子与固体相互作用实验第19-26页
     ·高电荷态离子与固体作用的理论模型第26-31页
   ·课题的提出第31-32页
第二章 等离子体分析和溅射实验的装置第32-54页
   ·ECR源和溅射实验介绍第32-42页
     ·ECR源工作原理第32-38页
     ·溅射试验设备第38-42页
     ·靶材料的制备:第42页
   ·EBIT系统介绍:第42-46页
     ·EBIT的工作原理:第42-44页
     ·气体注入系统:第44-45页
     ·X射线探测系统:第45-46页
     ·供电系统:第46页
     ·离子引出和离子分辨系统:第46页
   ·Wien filter分析系统的测试第46-54页
     ·Wien filter的原理第47-49页
     ·Wien filter实验结果第49-52页
     ·Wien filter的控制和解谱软件第52-54页
第三章 束流的引出和诊断第54-86页
   ·电子束离子阱中的等离子体分布第54-61页
     ·电子束的空间电势第54-57页
     ·离子在电子束离子阱中的分布第57-58页
     ·离子在阱区的温度分布和传递第58-61页
   ·离子源参数对束流的影响第61-69页
     ·电子能量与电子束流密度的关系第61-63页
     ·电子能量对输出离子强度的影响第63-64页
     ·阱区的气压对束流输出第64-66页
     ·势阱深度对束流强度的影响第66-68页
     ·引出电压对输出总电流的影响第68-69页
   ·高电荷态离子诊断第69-86页
     ·通过X射线鉴别高电荷态离子第69-80页
     ·离子的电荷态随时间演化第80-86页
第四章 溅射实验第86-111页
   ·Ar~(q+)/Pb~(q+)离子轰击固体表面引发的溅射实验第86-101页
     ·Ar~(q+)/Pb~(q+)离子轰击半导体表面引发的溅射产额的角分布第86-92页
     ·溅射产额与入射离子能量关系第92-97页
     ·溅射产额与离子势能的关系第97-100页
     ·高电荷态离子与低电荷态离子溅射产额之比第100-101页
   ·理论分析与讨论第101-109页
     ·动能势能共同作用模型第102-104页
       ·动能势能共同作用模型与实验结果对比第104-109页
   ·模型成功和不足第109-111页
第五章 全文总结第111-113页
附录1 WIEN FILTER控制和解谱软件界面第113-116页
参考文献第116-121页
发表论文第121-123页
致谢第123页

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