硅VDMOS辐照特性研究及应用
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景及研究意义 | 第7-9页 |
| ·VDMOS概述 | 第7页 |
| ·VDMOS等效电路模型概述 | 第7-8页 |
| ·VDMOS辐照概述 | 第8-9页 |
| ·国内外研究状况 | 第9-10页 |
| ·VDMOS模型建立状况 | 第9页 |
| ·VDMOS辐照状况 | 第9-10页 |
| ·论文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 VDMOS等效电路模型 | 第11-33页 |
| ·VDMOS器件简介 | 第11-16页 |
| ·VDMOS结构 | 第11页 |
| ·VDMOS的工艺 | 第11-12页 |
| ·VDMOS的工作原理 | 第12页 |
| ·典型输出特性曲线 | 第12-13页 |
| ·寄生效应分析 | 第13-16页 |
| ·VDMOS器件PSpice等效电路模型 | 第16-18页 |
| ·PSpice应用简介 | 第16-17页 |
| ·等效电路模型建立及工作原理 | 第17-18页 |
| ·电路特性描述 | 第18页 |
| ·等效电路模型参数提取 | 第18-27页 |
| ·数学方法 | 第18-21页 |
| ·PSpice提取模型参数 | 第21-26页 |
| ·对电容特性分析 | 第26-27页 |
| ·运用PSpice对等效电路模型进行模拟 | 第27-29页 |
| ·等效电路直流特性 | 第28页 |
| ·VDMOS瞬态特性模拟 | 第28-29页 |
| ·模拟结果对比优化 | 第29-31页 |
| ·直流（DC）模拟结果与实际特性比较 | 第29页 |
| ·准饱和特性体现 | 第29-30页 |
| ·瞬态特性与实际瞬态特性比较 | 第30-31页 |
| ·在PSpice中建立新器件模型的子电路 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 VDMOS辐照效应 | 第33-55页 |
| ·辐照环境简介 | 第33-34页 |
| ·辐照损伤机理 | 第34-35页 |
| ·电离辐照效应 | 第34-35页 |
| ·位移效应 | 第35页 |
| ·VDMOS辐照特性研究 | 第35-43页 |
| ·VDMOS辐照效应物理机制 | 第36-37页 |
| ·辐照影响MOS电学参数分析 | 第37-40页 |
| ·辐照影响VDMOS器件电学参数分析 | 第40-43页 |
| ·VDMOS辐照模型建立及模拟 | 第43-53页 |
| ·Pspice软件中ABM器件库简介 | 第43-44页 |
| ·辐照电路建立 | 第44-46页 |
| ·结果模拟 | 第46-50页 |
| ·VDMOS子电路辐照模型建立及模拟 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 VDMOS器件辐照影响应用 | 第55-63页 |
| ·开关电源简介 | 第55-57页 |
| ·常见开关电源电路 | 第55-57页 |
| ·VDMOS等效电路模型应用 | 第57-59页 |
| ·辐照对开关电源的影响 | 第59-62页 |
| ·应用VDMOS辐照等效电路模型至开关电源中 | 第59-61页 |
| ·结果分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结束语 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
