缺陷对SiC PIN二极管特性影响的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC材料的性质和优点 | 第7-8页 |
| ·SiC PIN二极管的研究意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究进展 | 第9-10页 |
| ·SiC PIN的结构和工作机理 | 第10-14页 |
| ·SiC PIN二极管的基本结构 | 第10-11页 |
| ·PIN二极管在直流电压下的特性 | 第11-13页 |
| ·PIN二极管的微波特性 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 4H-SiC外延材料中缺陷的研究 | 第15-31页 |
| ·SiC材料中的缺陷 | 第15-20页 |
| ·线性缺陷（位错） | 第15-17页 |
| ·二维缺陷 | 第17-18页 |
| ·三维缺陷 | 第18页 |
| ·混合位错交互系统 | 第18-19页 |
| ·外延生长层中的缺陷 | 第19-20页 |
| ·缺陷的表征方法 | 第20-24页 |
| ·同步辐射X射线白光形貌术 | 第20-21页 |
| ·快速扫描光萤技术 | 第21页 |
| ·偏振光显微镜 | 第21页 |
| ·择优腐蚀技术 | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23页 |
| ·透射电子显微镜 | 第23页 |
| ·拉曼散射 | 第23-24页 |
| ·缺陷对器件的影响 | 第24-28页 |
| ·堆垛层错的形成 | 第24-26页 |
| ·肖克莱型堆垛层错对PIN二极管特性的影响 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-31页 |
| 第三章 缺陷对SiC PIN二极管特性的影响 | 第31-43页 |
| ·SiC PIN二极管的正向特性的模拟 | 第31-33页 |
| ·等效模拟缺陷对器件特性的影响 | 第33-34页 |
| ·SiC外延层的湿法腐蚀实验 | 第34-40页 |
| ·湿法腐蚀的发展 | 第34-35页 |
| ·进行的工艺实验准备 | 第35-36页 |
| ·进行工艺实验及结果分析 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-43页 |
| 第四章 工艺中的问题及改进设想 | 第43-47页 |
| ·加热系统的选择问题 | 第43页 |
| ·测温系统的改进设想 | 第43页 |
| ·实验的进一步构想 | 第43-45页 |
| ·缺陷的统计方法 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 结束语 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 硕士期间参加课题 | 第55-56页 |
