| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-41页 |
| 1.1 非易失性存储器的概述 | 第12-15页 |
| 1.1.1 传统的Flash型存储器 | 第12-13页 |
| 1.1.2 新型非易失性存储器 | 第13-15页 |
| 1.2 阻变存储器简介 | 第15-29页 |
| 1.2.1 阻变存储器的阻变机理 | 第16-20页 |
| 1.2.2 阻变存储器的性能参数 | 第20-21页 |
| 1.2.3 阻变存储器材料的选择 | 第21-26页 |
| 1.2.4 阻变存储器的研究进展 | 第26-29页 |
| 1.3 本论文选题内容与研究意义 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-41页 |
| 第二章 碳量子点表面特性调控GO阻变行为研究 | 第41-68页 |
| 2.1 引言 | 第41页 |
| 2.2 GO作为阻变层的阻变性质研究 | 第41-47页 |
| 2.2.1 GO薄膜材料sp~2团簇尺寸调控研究 | 第41-44页 |
| 2.2.2 Al/GO/ITO器件阻变机制研究 | 第44-47页 |
| 2.2.3 本节小结 | 第47页 |
| 2.3 碳量子点调控sp~2团簇浓度促进阻变器件保持性能 | 第47-51页 |
| 2.3.1 Al/CQD-GO/ITO器件制备 | 第47-48页 |
| 2.3.2 Al/CQD-GO/ITO器件电化学特性 | 第48-50页 |
| 2.3.3 本节小结 | 第50-51页 |
| 2.4 碳量子点调控迁移势垒促进阻变器件保持性能 | 第51-63页 |
| 2.4.1 Al/OCQD-GO/ITO器件电化学特性 | 第51-52页 |
| 2.4.2 Al/OCQD-GO/ITO器件导电机制研究 | 第52-57页 |
| 2.4.3 Al/OCQD-GO/ITO器件阻变机制研究 | 第57-59页 |
| 2.4.4 碳量子点调控迁移势垒对阻变性能影响研究 | 第59-62页 |
| 2.4.5 本节小结 | 第62-63页 |
| 2.5 本章总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第三章 碳量子点光电特性调控GO阻变行为研究 | 第68-83页 |
| 3.1 引言 | 第68页 |
| 3.2 Al/NCQD-GO/ITORRAM器件的阻变特性 | 第68-77页 |
| 3.2.1 NCQDs结构及性质表征 | 第68-69页 |
| 3.2.2 紫外光照对NCQD-GO复合薄膜性质影响研究 | 第69-71页 |
| 3.2.3 Al/NCQD-GO/ITO器件电化学特性 | 第71-73页 |
| 3.2.4 Al/NCQD-GO/ITO器件阻变机制研究 | 第73-77页 |
| 3.2.5 本节小结 | 第77页 |
| 3.3 G/NCQD-GO/GRRAM器件的应用 | 第77-79页 |
| 3.3.1 柔性G/NCQD-GO/GRRAM器件制备 | 第77-78页 |
| 3.3.2 柔性G/NCQD-GO/GRRAM器件电化学特性 | 第78-79页 |
| 3.3.3 本节小结 | 第79页 |
| 3.4 本章总结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章 碳量子点调控局域电场改善阻变性能及其应用 | 第83-97页 |
| 4.1 引言 | 第83页 |
| 4.2 碳量子点调控HfO_(2-x)基RRAM阻变性能研究 | 第83-89页 |
| 4.2.1 Au/CQD-HfO_(2-x)/Au器件制备 | 第83-84页 |
| 4.2.2 Au/CQD-HfO_(2-x)/Au器件电化学特性 | 第84-88页 |
| 4.2.3 Au/CQD-HfO_(2-x)/Au器件阻变机制研究 | 第88-89页 |
| 4.3 Au/CQD-HfO_(2-x)/AuRRAM器件应用 | 第89-93页 |
| 4.3.1 Au/CQD-HfO_(2-x)/Au器件多级存储特性 | 第90页 |
| 4.3.2 多功能RRAM器件的集成及应用 | 第90-93页 |
| 4.4 本章总结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第五章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第97-98页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第100页 |
