非晶锗薄膜的制备及其光学性能研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 研究背景 | 第7-24页 |
| 1.1 红外上转换器 | 第7-12页 |
| 1.2 锗红外材料研究 | 第12-20页 |
| 1.3 半导体理论 | 第20-22页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方法 | 第24-33页 |
| 2.1 热蒸镀制备薄膜 | 第24-27页 |
| 2.1.1 实验仪器及原理 | 第24-26页 |
| 2.1.2 蒸镀前期准备工作 | 第26页 |
| 2.1.3 样品制作流程 | 第26-27页 |
| 2.2 旋涂法制备薄膜 | 第27-29页 |
| 2.2.1 实验仪器及试剂 | 第27-29页 |
| 2.2.2 衬底选取与清洗 | 第29页 |
| 2.3 样品分析测试方法 | 第29-33页 |
| 第三章 真空热蒸镀制备锗薄膜及其表征 | 第33-45页 |
| 3.1 锗薄膜制备 | 第33-34页 |
| 3.2 薄膜性能分析 | 第34-41页 |
| 3.2.1 光学性能分析 | 第34-38页 |
| 3.2.2 结构及成分分析 | 第38-41页 |
| 3.3 薄膜结构的改善 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 旋涂法制备锗与锗复合薄膜及其表征 | 第45-57页 |
| 4.1 锗粉处理及性质表征 | 第45-48页 |
| 4.1.1 结构性能分析 | 第45-47页 |
| 4.1.2 光学性能分析 | 第47-48页 |
| 4.2 锗薄膜制备及性质表征 | 第48-53页 |
| 4.2.1 薄膜制备 | 第48页 |
| 4.2.2 结构及成分分析 | 第48-53页 |
| 4.2.3 光学性能分析 | 第53页 |
| 4.3 锗复合薄膜制备及性质表征 | 第53-56页 |
| 4.3.1 薄膜制备 | 第53-54页 |
| 4.3.2 形貌分析 | 第54-55页 |
| 4.3.3 光电性能分析 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 锗红外探测器制备 | 第57-61页 |
| 5.1 器件设计 | 第57-58页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第58-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 总结 | 第61页 |
| 6.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
