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InGaAs MOSFET电特性模拟与GaAs-La基高k栅介质界面特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 MOSFET及集成电路概况第9-10页
    1.2 小尺寸MOSFET面临的挑战第10-11页
    1.3 高k栅介质研究概况第11-13页
    1.4 GaAs基MOS器件研究意义第13-14页
    1.5 InGaAs MOS器件研究现状第14-15页
    1.6 本文的主要内容及安排第15-17页
2 高k栅介质缓冲层InGaAs MOSFET电特性模拟第17-31页
    2.1 引言第17页
    2.2 TCAD软件第17-20页
    2.3 构建器件结构及模型第20-22页
    2.4 器件电特性仿真第22-30页
    2.5 本章小结第30-31页
3 盖帽层对La基高k栅介质MOS器件电特性的影响第31-44页
    3.1 引言第31页
    3.2 GaAs MOS器件的制备工艺第31-34页
    3.3 MOS器件电学特性测量和相关参数提取第34-36页
    3.4 实验过程第36-37页
    3.5 实验结果和分析第37-42页
    3.6 本章小结第42-44页
4 盖帽层材料及厚度对LaON栅介质GaAs MOS器件电特性的影响第44-50页
    4.1 引言第44页
    4.2 实验过程第44-45页
    4.3 实验结果和分析第45-49页
    4.4 本章小结第49-50页
5 总结与展望第50-53页
    5.1 全文总结第50-52页
    5.2 工作展望第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-59页

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