| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 MOSFET及集成电路概况 | 第9-10页 |
| 1.2 小尺寸MOSFET面临的挑战 | 第10-11页 |
| 1.3 高k栅介质研究概况 | 第11-13页 |
| 1.4 GaAs基MOS器件研究意义 | 第13-14页 |
| 1.5 InGaAs MOS器件研究现状 | 第14-15页 |
| 1.6 本文的主要内容及安排 | 第15-17页 |
| 2 高k栅介质缓冲层InGaAs MOSFET电特性模拟 | 第17-31页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 TCAD软件 | 第17-20页 |
| 2.3 构建器件结构及模型 | 第20-22页 |
| 2.4 器件电特性仿真 | 第22-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 盖帽层对La基高k栅介质MOS器件电特性的影响 | 第31-44页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 GaAs MOS器件的制备工艺 | 第31-34页 |
| 3.3 MOS器件电学特性测量和相关参数提取 | 第34-36页 |
| 3.4 实验过程 | 第36-37页 |
| 3.5 实验结果和分析 | 第37-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 盖帽层材料及厚度对LaON栅介质GaAs MOS器件电特性的影响 | 第44-50页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 实验过程 | 第44-45页 |
| 4.3 实验结果和分析 | 第45-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 总结与展望 | 第50-53页 |
| 5.1 全文总结 | 第50-52页 |
| 5.2 工作展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
