| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 封装基板的作用与地位 | 第13-19页 |
| 1.1.1 封装基板的定义与种类 | 第14-15页 |
| 1.1.2 封装基板的结构 | 第15-16页 |
| 1.1.3 封装基板制造技术及现状 | 第16-19页 |
| 1.2 封装基板中互连结构电沉积铜技术理论基础及现状 | 第19-34页 |
| 1.2.1 封装基板电沉积铜技术的理论基础 | 第19-22页 |
| 1.2.2 封装基板电气互连结构电沉积制作流程 | 第22-23页 |
| 1.2.3 封装基板电气互连结构电沉积铜的有机添加剂研究 | 第23-29页 |
| 1.2.4 封装基板电气互连结构电沉积铜的均匀性研究理论基础及现状 | 第29-34页 |
| 1.3 封装基板电气互连结构电沉积铜的研究方法 | 第34-35页 |
| 1.3.1 实验法 | 第34页 |
| 1.3.2 数值模拟法 | 第34-35页 |
| 1.4 本论文选题依据和研究内容 | 第35-37页 |
| 第二章 封装基板铜质互连线路电沉积机理及应用研究 | 第37-52页 |
| 2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2 实验方法与仪器 | 第37-40页 |
| 2.2.1 实验材料及仪器 | 第37-38页 |
| 2.2.2 Coreless技术途径封装基板改良型半加成法线路制作 | 第38页 |
| 2.2.3 封装基板铜质互连线路电沉积理论模型 | 第38-40页 |
| 2.2.4 实验与分析测试方法 | 第40页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第40-49页 |
| 2.3.1 不同图形设计的线路电沉积均匀性研究 | 第40-42页 |
| 2.3.2 改善露铜设计为20%的铜线路的均匀性研究 | 第42-45页 |
| 2.3.3 改善露铜设计为80%的铜线路的均匀性的研究 | 第45-48页 |
| 2.3.4 图形铜线路形貌 | 第48-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第三章 封装基板电沉积铜加速剂的作用机理研究 | 第52-81页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 实验仪器与方法 | 第53-54页 |
| 3.2.1 实验材料及仪器 | 第53页 |
| 3.2.2 实验与分析测试方法 | 第53-54页 |
| 3.3 亚铜离子与加速剂反应的结果与讨论 | 第54-67页 |
| 3.3.1 亚铜离子与MPS、SPS的反应过程 | 第54-55页 |
| 3.3.2 亚铜离子与MPS、SPS的反应产物的性能表征 | 第55-61页 |
| 3.3.3 亚铜离子与MPS、SPS的反应的电化学性能测试 | 第61-67页 |
| 3.4 亚铜离子对铜电沉积性能影响的结果与讨论 | 第67-78页 |
| 3.4.1 亚铜离子与MPS、SPS和DPS反应过程 | 第67-68页 |
| 3.4.2 亚铜离子与MPS、SPS和DPS反应的电化学性能测试 | 第68-75页 |
| 3.4.3 亚铜离子与MPS、SPS和DPS反应的共轭关系 | 第75页 |
| 3.4.4 亚铜离子-MPS和亚铜离子-DPS的表面电荷分布 | 第75-76页 |
| 3.4.5 亚铜离子对电沉积铜层性能的影响 | 第76-78页 |
| 3.5 本章小结 | 第78-81页 |
| 第四章 封装基板电沉积铜整平剂的作用机理及应用研究 | 第81-102页 |
| 4.1 引言 | 第81页 |
| 4.2 实验仪器与方法 | 第81-84页 |
| 4.2.1 实验材料及仪器 | 第81页 |
| 4.2.2 封装基板沉积铜整平剂作用模型建立 | 第81-83页 |
| 4.2.3 封装基板电沉积铜沉积层品质分析与表征方法 | 第83-84页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第84-100页 |
| 4.3.1 整平剂对通孔铜电沉积过程作用的流场仿真 | 第84-85页 |
| 4.3.2 整平剂作用的电化学测试 | 第85-94页 |
| 4.3.3 整平剂对通孔电沉积铜过程影响 | 第94-100页 |
| 4.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 封装基板通孔电沉积铜机理及应用研究 | 第102-119页 |
| 5.1 引言 | 第102页 |
| 5.2 实验仪器与方法 | 第102-104页 |
| 5.2.1 实验材料及仪器 | 第102-103页 |
| 5.2.2 封装基板通孔电沉积铜机理模型建立 | 第103页 |
| 5.2.3 封装基板电沉积铜沉积层品质分析与表征方法 | 第103-104页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第104-117页 |
| 5.3.1 通孔电沉积过程的多物理场仿真 | 第104-110页 |
| 5.3.2 通孔电沉积铜中不同电镀液体系的电化学测试 | 第110-115页 |
| 5.3.3 电镀液体系的电化学性能对通孔电沉积铜影响 | 第115-117页 |
| 5.4 本章小结 | 第117-119页 |
| 第六章 封装基板铜柱电沉积制作机理及应用研究 | 第119-134页 |
| 6.1 引言 | 第119页 |
| 6.2 实验仪器与方法 | 第119-121页 |
| 6.2.1 实验材料及仪器 | 第119-120页 |
| 6.2.2 Coreless途径无核封装基板互连铜柱基本流程 | 第120页 |
| 6.2.3 实验与分析测试方法 | 第120-121页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第121-133页 |
| 6.3.1 等离子处理对干膜表面及微孔形貌的影响 | 第121-123页 |
| 6.3.2 等离子处理对干膜表面粗糙度的影响 | 第123-124页 |
| 6.3.3 等离子处理对干膜表面浸润性的影响 | 第124-125页 |
| 6.3.4 等离子处理对干膜表面分子结构的影响 | 第125-126页 |
| 6.3.5 等离子处理对干膜表面元素价态的影响 | 第126-131页 |
| 6.3.6 等离子处理对铜柱电沉积均匀性的影响 | 第131-133页 |
| 6.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 第七章 结论与展望 | 第134-137页 |
| 7.1 全文总结 | 第134-136页 |
| 7.2 课题展望 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 参考文献 | 第138-155页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第155页 |
