| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-21页 |
| 1.1.1 氧化钒 | 第15页 |
| 1.1.2 二氧化钒 | 第15-18页 |
| 1.1.3 太赫兹波 | 第18-19页 |
| 1.1.4 超材料 | 第19-21页 |
| 1.2 太赫兹波段二氧化钒薄膜与超材料结构 | 第21-26页 |
| 1.2.1 二氧化钒薄膜在THz波段的发展 | 第21-22页 |
| 1.2.2 超材料结构与VO_2薄膜结合应用发展 | 第22-24页 |
| 1.2.3 存在问题 | 第24-26页 |
| 1.3 本论文选题依据与研究内容 | 第26-28页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第26页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 氧化钒薄膜、超材料结构的制备、测试与表征 | 第28-36页 |
| 2.1 氧化钒薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 2.1.1 反应磁控溅射 | 第28-29页 |
| 2.1.2 制备过程 | 第29页 |
| 2.2 氧化钒薄膜的测试与表征 | 第29-32页 |
| 2.2.1 四探针测试仪 | 第29页 |
| 2.2.2 可见-近红外分光光度计 | 第29-30页 |
| 2.2.3 傅里叶变换红外光谱仪 | 第30页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪 | 第30页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪 | 第30-31页 |
| 2.2.6 激光拉曼光谱仪 | 第31页 |
| 2.2.7 扫描电子显微镜与能谱仪 | 第31页 |
| 2.2.8 透射电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.3 超材料结构的制备与测试 | 第32-35页 |
| 2.3.1 超材料结构仿真 | 第32-33页 |
| 2.3.2 超材料结构的制备 | 第33-34页 |
| 2.3.3 超材料结构测试 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 氧化钒薄膜在不同波长下的光学特性与电学特性探索 | 第36-63页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 二氧化钒薄膜的电学特性分析 | 第37-42页 |
| 3.2.1 薄膜制备 | 第37页 |
| 3.2.2 氧含量对二氧化钒薄膜的影响和拉曼光谱分析 | 第37-39页 |
| 3.2.3 二氧化钒薄膜的电学性质及反应氧含量的变化影响 | 第39-42页 |
| 3.3 二氧化钒薄膜的远红外/太赫兹光谱特性 | 第42-45页 |
| 3.4 二氧化钒薄膜的中红外光谱 | 第45-46页 |
| 3.5 二氧化钒薄膜的可见光与近红外特性 | 第46-51页 |
| 3.5.1 薄膜制备 | 第47页 |
| 3.5.2 不同衬底上二氧化钒薄膜的可见光近红外特性 | 第47-50页 |
| 3.5.3 非导电衬底上二氧化钒薄膜电学特性 | 第50-51页 |
| 3.6 二氧化钒薄膜在硅元素掺杂后的可见光近红外性质变化 | 第51-62页 |
| 3.6.1 近红外可见光波段掺杂研究的意义 | 第51-53页 |
| 3.6.2 硅掺杂二氧化钒薄膜的制备 | 第53页 |
| 3.6.3 二氧化钒薄膜在硅掺杂作用下的结构变化 | 第53-55页 |
| 3.6.4 二氧化钒薄膜在硅掺杂下的成分与形貌 | 第55-57页 |
| 3.6.5 硅掺杂二氧化钒薄膜的可见光-近红外光学性质及分析 | 第57-62页 |
| 3.7 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 太赫兹波段二氧化钒薄膜的同价元素掺杂研究 | 第63-101页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 太赫兹波段二氧化钒薄膜在硅元素掺杂下的特性研究 | 第63-75页 |
| 4.2.1 薄膜制备 | 第63-64页 |
| 4.2.2 硅掺杂VO_2薄膜的THz光学性能与电学性能 | 第64-68页 |
| 4.2.3 硅掺杂VO_2薄膜的特征变化 | 第68-71页 |
| 4.2.4 相变温度的反弹现象在可见光-近红外波段的验证 | 第71-72页 |
| 4.2.5 相变温度反弹现象中Si元素不同掺杂方式的作用 | 第72-75页 |
| 4.3 太赫兹波段退火温度对硅掺杂二氧化钒薄膜的影响 | 第75-80页 |
| 4.3.1 薄膜制备 | 第75-76页 |
| 4.3.2 薄膜晶体结构与形貌变化 | 第76-77页 |
| 4.3.3 退火温度对硅掺杂薄膜的电学与THz光学性质影响 | 第77-80页 |
| 4.4 太赫兹波段锗掺杂二氧化钒薄膜的特性研究 | 第80-99页 |
| 4.4.1 薄膜制备 | 第81页 |
| 4.4.2 锗掺杂VO_2薄膜的电学相变性质 | 第81-84页 |
| 4.4.3 锗掺杂VO_2薄膜的太赫兹光学性质 | 第84-87页 |
| 4.4.4 锗掺杂后VO_2薄膜的晶体与颗粒结构变化 | 第87-90页 |
| 4.4.5 锗掺杂后VO_2薄膜晶格结构变化 | 第90-94页 |
| 4.4.6 锗掺杂VO_2薄膜的声子振动模式变化 | 第94-95页 |
| 4.4.7 锗掺杂后VO_2薄膜的性质变化与微观表征的关系 | 第95-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 第五章 低价元素掺杂二氧化钒薄膜的太赫兹特性研究 | 第101-134页 |
| 5.1 引言 | 第101页 |
| 5.2 铝掺杂二氧化钒薄膜的晶体结构变化与太赫兹波特性研究 | 第101-116页 |
| 5.2.1 铝掺杂二氧化钒薄膜制备 | 第102-103页 |
| 5.2.2 晶体衍射与成分变化 | 第103-105页 |
| 5.2.3 晶格拉曼振动 | 第105-106页 |
| 5.2.4 表面形貌与颗粒变化 | 第106-108页 |
| 5.2.5 掺杂Al后的电学性质 | 第108-109页 |
| 5.2.6 THz光学调制与相变性质 | 第109-113页 |
| 5.2.7 中红外光谱变化 | 第113-114页 |
| 5.2.8 THz光学性质与电学性质差异 | 第114-116页 |
| 5.3 铜掺杂引起太赫兹光学与电学特性非对应变化研究 | 第116-133页 |
| 5.3.1 铜掺杂薄膜制备 | 第117页 |
| 5.3.2 Cu掺杂后的太赫兹光透过率 | 第117-118页 |
| 5.3.3 太赫兹光学特性回线与电学特性回线 | 第118-122页 |
| 5.3.4 晶体衍射信息与成分变化 | 第122-124页 |
| 5.3.5 声子振动 | 第124-126页 |
| 5.3.6 表面形貌变化 | 第126-128页 |
| 5.3.7 掺杂浓度、巨型颗粒、THz光学与电学特征及其不对应现象 | 第128-133页 |
| 5.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 第六章 超材料结构与二氧化钒薄膜在太赫兹波段的结合研究 | 第134-159页 |
| 6.1 引言 | 第134页 |
| 6.2 VO_2薄膜的太赫兹时域光谱仪特性 | 第134-136页 |
| 6.3 开口谐振环与VO_2薄膜结合增强调制研究 | 第136-147页 |
| 6.3.1 样品制备 | 第136-137页 |
| 6.3.2 VO_2超材料结构的THz透过响应测试 | 第137-140页 |
| 6.3.3 VO_2超材料结构的仿真拟合 | 第140-144页 |
| 6.3.4 VO_2超材料结构的反射和正交偏振响应 | 第144-147页 |
| 6.4 互补开口谐振环与VO_2复合结构研究 | 第147-158页 |
| 6.4.1 样品制备 | 第147页 |
| 6.4.2 互补超材料VO_2复合结构的透过响应 | 第147-149页 |
| 6.4.3 互补超材料VO_2复合结构的仿真拟合分析 | 第149-152页 |
| 6.4.4 互补超材料VO_2复合结构的相变过程分析 | 第152-158页 |
| 6.5 本章小结 | 第158-159页 |
| 第七章 总结与展望 | 第159-162页 |
| 7.1 本论文主要结论 | 第159-160页 |
| 7.2 本论文主要创新 | 第160-161页 |
| 7.3 工作展望 | 第161-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
| 参考文献 | 第163-180页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第180-181页 |
