| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 拓扑绝缘体简介 | 第11-12页 |
| 1.2 拓扑绝缘体的研究背景 | 第12-17页 |
| 1.3 拓扑绝缘体的应用 | 第17-20页 |
| 第二章 Bi_2Se_3中的光电流效应 | 第20-42页 |
| 2.1 自旋动量锁定效应 | 第20-21页 |
| 2.2 光电效应 | 第21-22页 |
| 2.3 圆偏振光电流效应 | 第22-24页 |
| 2.4 器件的制备、测试和结果分析 | 第24-36页 |
| 2.4.1 Bi_2Se_3的剥离和转移 | 第24-28页 |
| 2.4.2 四分之一波片调整偏振态原理 | 第28-29页 |
| 2.4.3 刀片法测量光斑大小和中心位置 | 第29-30页 |
| 2.4.4 器件制备 | 第30-32页 |
| 2.4.5 测试方法 | 第32-34页 |
| 2.4.6 实验结果及结果分析 | 第34-36页 |
| 2.5 Bi_2Se_3器件中的热电效应 | 第36-39页 |
| 2.6 幅频响应特性研究 | 第39-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 Bi_2Se_3中各向异性的光电流效应 | 第42-52页 |
| 3.1 器件制备 | 第42-43页 |
| 3.2 测试方法 | 第43-47页 |
| 3.2.1 欧姆接触的实现 | 第45-46页 |
| 3.2.2 线性光电响应的验证 | 第46-47页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第47-50页 |
| 3.4 未刻蚀器件及结果 | 第50-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 Bi_2Se_3集成波导光探测器的研究 | 第52-84页 |
| 4.1 集成波导中光子自旋角动量的研究 | 第52-56页 |
| 4.2 光探测器的设计及制备 | 第56-73页 |
| 4.2.1 光栅耦合器的研究 | 第56-60页 |
| 4.2.2 定向耦合器的研究 | 第60-63页 |
| 4.2.3 光探测器的设计 | 第63-65页 |
| 4.2.4 光探测器的制备 | 第65-69页 |
| 4.2.5 器件的光传输系数 | 第69-70页 |
| 4.2.6 Bi_2Se_3薄片的定位转移 | 第70-72页 |
| 4.2.7 Bi_2Se_3与预置电极间欧姆接触的实现 | 第72-73页 |
| 4.3 光探测器的测试方法 | 第73-77页 |
| 4.3.1 耦合平衡性的测试和验证 | 第75-77页 |
| 4.4 实验结果及分析 | 第77-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 实验中使用的设备及其原理和方法 | 第84-96页 |
| 5.1 电子束光刻 | 第84-86页 |
| 5.2 紫外光刻 | 第86-87页 |
| 5.3 离子束刻蚀 | 第87-88页 |
| 5.4 反应离子刻蚀 | 第88-89页 |
| 5.5 电子束蒸镀 | 第89-91页 |
| 5.6 原子层沉积 | 第91-92页 |
| 5.7 原子力显微镜 | 第92-94页 |
| 5.8 锁相放大电流表 | 第94-95页 |
| 5.9 本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第96-98页 |
| 6.1 全文总结 | 第96-97页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-106页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第106页 |