| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·宽带隙半导体材料SiC 的研究背景 | 第14-17页 |
| ·SiC 材料的应用前景 | 第15-16页 |
| ·SiC 材料的研究发展 | 第16-17页 |
| ·SiC 材料的基本特性 | 第17-19页 |
| ·SiC 的结构特性 | 第17-18页 |
| ·几种不同结构的SiC 性能 | 第18-19页 |
| ·3C-SiC 单晶薄膜的制备 | 第19-22页 |
| ·3C-SiC 外延的生长 | 第19页 |
| ·3C-SiC 薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
| ·存在的问题 | 第22-23页 |
| ·本论文主要研究工作 | 第23-26页 |
| 第二章 3C-SiC 薄膜的 CVD 生长设备及生长工艺 | 第26-32页 |
| ·CVD 系统的组成和生长设备 | 第26-28页 |
| ·3C-SiC/Si 异质外延工艺流程 | 第28-30页 |
| ·生长前衬底基片的准备和清洗 | 第29页 |
| ·主要工艺流程 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 Si 衬底3C-SiC 异质外延及应力的消除 | 第32-52页 |
| ·结晶质量、应力的分析方法 | 第33-34页 |
| ·结晶质量分析方法 | 第33页 |
| ·应力分析方法 | 第33-34页 |
| ·Si 衬底上3C-SiC 薄膜的异质外延 | 第34-47页 |
| ·碳化工艺对3C-SiC 异质外延的影响 | 第34-39页 |
| ·生长工艺对3C-SiC 异质外延的影响 | 第39-47页 |
| ·Si 衬底3C-SiC 异质外延应力的消除机理 | 第47-48页 |
| ·较厚3C-SiC 薄膜的异质外延 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 Si 衬底3C-SiC 异质外延薄膜的表征 | 第52-70页 |
| ·3C-SiC 异质外延薄膜的结构表征 | 第52-60页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第52-55页 |
| ·X 射线光电子谱(XPS) | 第55-57页 |
| ·红外傅里叶变换光谱(FTIR) | 第57-60页 |
| ·3C-SiC 异质外延薄膜的形貌表征 | 第60-63页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第60-62页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第62-63页 |
| ·3C-SiC 异质外延薄膜的电学性能表征 | 第63-68页 |
| ·霍尔(Hall)测试 | 第63-65页 |
| ·电容电压(C-V)测试 | 第65-67页 |
| ·电阻均匀性 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 3C-SiC 异质外延机理的研究 | 第70-80页 |
| ·3C-SiC 异质外延的动力学研究 | 第70-72页 |
| ·复相反应模型 | 第70-72页 |
| ·3C-SiC 异质外延的热力学分析 | 第72-74页 |
| ·异质外延机理研究的实验设计与结果分析 | 第74-78页 |
| ·工艺条件 | 第74页 |
| ·样品的制备 | 第74-75页 |
| ·结果分析 | 第75-78页 |
| ·异质外延机理研究 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 3C-SiC/Si 肖特基二极管的制备与 I-V 特性研究 | 第80-92页 |
| ·肖特基结与异质结的基本理论 | 第81-82页 |
| ·肖特基结 | 第81页 |
| ·3C-SiC/Si 异质结 | 第81-82页 |
| ·3C-SiC 肖特基二极管伏安特性的模拟分析 | 第82-86页 |
| ·基本方程 | 第82-83页 |
| ·物理模型的选择 | 第83-84页 |
| ·模拟结果及分析 | 第84-86页 |
| ·3C-SiC/Si 肖特基二极管的制备 | 第86-88页 |
| ·工艺设计 | 第86-87页 |
| ·工艺流程 | 第87-88页 |
| ·测试结果及分析 | 第88-90页 |
| ·测试结果 | 第88-89页 |
| ·相关参数的计算 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第七章 结束语 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第108-110页 |
