硅基毫米波高功率振荡器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 论文的研究背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 CMOS振荡器国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文主要内容及结构 | 第14-16页 |
| 第二章 CMOS振荡器设计基础 | 第16-32页 |
| 2.1 CMOS振荡器类型 | 第16-20页 |
| 2.1.1 CMOS环形振荡器 | 第16-17页 |
| 2.1.2 LC振荡器 | 第17-20页 |
| 2.2 相位噪声分析 | 第20-28页 |
| 2.2.1 Leeson模型 | 第21页 |
| 2.2.2 线性时不变模型 | 第21-23页 |
| 2.2.3 线性时变模型 | 第23-28页 |
| 2.3 无源器件分析 | 第28-32页 |
| 2.3.1 无源器件损耗 | 第28页 |
| 2.3.2 基本无源器件结构 | 第28-32页 |
| 第三章 低相位噪声CMOS毫米波压控振荡器设计 | 第32-48页 |
| 3.1 振荡器约束条件 | 第32-41页 |
| 3.1.1 电感受限区和电压受限区 | 第32-34页 |
| 3.1.2 噪声信号比优化 | 第34-36页 |
| 3.1.3 振荡器结构分析 | 第36-39页 |
| 3.1.4 振荡器设计约束条件 | 第39-41页 |
| 3.2 尾电流源优化 | 第41-44页 |
| 3.2.1 尾电流源上变频原理 | 第41-42页 |
| 3.2.2 优化技术 | 第42-44页 |
| 3.3 电路设计 | 第44-45页 |
| 3.4 版图设计和仿真结果 | 第45-46页 |
| 3.5 性能比较 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 高功率太赫兹CMOS振荡器设计 | 第48-58页 |
| 4.1 有源状态分析 | 第48-50页 |
| 4.1.1 梅森不变量 | 第48-49页 |
| 4.1.2 MOS管有源状态分析 | 第49-50页 |
| 4.2 高功率振荡器设计 | 第50-55页 |
| 4.2.1 振荡器状态分析 | 第50-51页 |
| 4.2.2 基波高功率振荡器设计流程 | 第51页 |
| 4.2.3 高功率CMOS太赫兹振荡器设计 | 第51-53页 |
| 4.2.4 MCPW电感 | 第53-55页 |
| 4.3 高功率太赫兹CMOS振荡器仿真 | 第55-57页 |
| 4.4 性能比较 | 第57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 附录 | 第67页 |
