复合尖锥场发射阵列研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 场致电子发射技术的发展历史及现状 | 第10-12页 |
| 1.2 真空场发射器件研究的现状 | 第12-13页 |
| 1.3 场致发射的应用 | 第13-17页 |
| 1.3.1 场发射平板显示器件 | 第14-15页 |
| 1.3.2 场发射微波真空器件 | 第15-16页 |
| 1.3.3 场发射传感器 | 第16-17页 |
| 1.4 课题意义和主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 场致电子发射理论基础 | 第20-30页 |
| 2.1 场致发射原理 | 第20-23页 |
| 2.1.1 金属场致发射理论 | 第21-22页 |
| 2.1.2 半导体场致发射 | 第22-23页 |
| 2.1.3 内场致发射 | 第23页 |
| 2.2 场发射材料的选取 | 第23-25页 |
| 2.3 尖锥发射体参数对场发射阵列性能的影响仿真 | 第25-28页 |
| 2.4 场发射阵列的评价参数 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 场发射阵列的材料选取及制备工艺 | 第30-37页 |
| 3.1 场发射材料的特性 | 第30-32页 |
| 3.1.1 钼材料的性质 | 第30-31页 |
| 3.1.2 六硼化镧材料的性质 | 第31-32页 |
| 3.2 复合尖锥场发射阵列的结构和制备工艺 | 第32-36页 |
| 3.2.1 复合尖锥场发射阵列的结构 | 第32-33页 |
| 3.2.2 复合尖锥场发射阵列的制备工艺 | 第33-35页 |
| 3.2.3 蒸发镀膜技术 | 第35-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 复合尖锥场发射阵列阴极的制备 | 第37-60页 |
| 4.1 电阻层的制备 | 第38-44页 |
| 4.1.1 电阻层的工作原理和结构 | 第38-41页 |
| 4.1.2 电阻层的沉积工艺 | 第41-44页 |
| 4.2 牺牲层的制备 | 第44-49页 |
| 4.2.1 使用氯化钠作为牺牲层材料 | 第45-46页 |
| 4.2.2 使用铝作为牺牲层材料 | 第46-49页 |
| 4.3 钼过渡台阶的沉积 | 第49-51页 |
| 4.4 六硼化镧尖锥的沉积 | 第51-54页 |
| 4.5 牺牲层的剥离 | 第54-55页 |
| 4.6 制备过程中遇到的问题 | 第55-59页 |
| 4.6.1 栅极薄膜开裂 | 第56-57页 |
| 4.6.2 尖锥的脱落 | 第57-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 复合尖锥场发射阵列的后处理工艺和性能测试 | 第60-72页 |
| 5.1 退火工艺 | 第60-63页 |
| 5.1.1 基片的退火 | 第60-61页 |
| 5.1.2 阵列的退火 | 第61-63页 |
| 5.2 烧氢工艺 | 第63-65页 |
| 5.3 场发射阵列的性能测试 | 第65-71页 |
| 5.3.1 老炼处理 | 第66-67页 |
| 5.3.2 阴极的场发射测试 | 第67-69页 |
| 5.3.3 场发射稳定性分析 | 第69-70页 |
| 5.3.4 结果分析 | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 本文主要工作总结 | 第72页 |
| 6.2 工作展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
