| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第10-24页 |
| 1.1 镍氢电池概述 | 第10-11页 |
| 1.1.1 镍氢电池的发展概况 | 第10页 |
| 1.1.2 镍氢电池的发展方向 | 第10-11页 |
| 1.2 Ni(OH)_2正极材料的研究进展 | 第11-20页 |
| 1.2.1 Ni(OH)_2正极材料的结构 | 第11-13页 |
| 1.2.2 Ni(OH)_2正极材料的反应过程和机理 | 第13-15页 |
| 1.2.3 Ni(OH)_2正极材料的制备工艺 | 第15-17页 |
| 1.2.4 Ni(OH)_2的层间堆垛方式和结构缺陷 | 第17-18页 |
| 1.2.5 球形氢氧化镍微结构和电化学性能关系 | 第18-19页 |
| 1.2.6 球形氢氧化镍微结构和制备过程的关系 | 第19-20页 |
| 1.3 添加剂对氢氧化镍电极的影响 | 第20-22页 |
| 1.3.1 共沉积方式 | 第21页 |
| 1.3.2 表面沉积方式 | 第21页 |
| 1.3.3 物理添加方式 | 第21-22页 |
| 1.3.4 电解液中添加方式 | 第22页 |
| 1.4 存在的问题及本文的内容 | 第22-24页 |
| 1.4.1 存在的问题 | 第22页 |
| 1.4.2 本文的内容 | 第22-24页 |
| 2 实验与方法 | 第24-28页 |
| 2.1 水热合成反应 | 第24页 |
| 2.1.1 实验方法 | 第24页 |
| 2.1.2 实验装置 | 第24页 |
| 2.2 控制结晶晶体生长“管道式合成”方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1 实验原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第25页 |
| 2.2.3 实验装置 | 第25-26页 |
| 2.3 实验样品的表征 | 第26页 |
| 2.3.1 XRD 衍射分析 | 第26页 |
| 2.3.2 SEM 分析 | 第26页 |
| 2.3.3 红外光谱分析 | 第26页 |
| 2.4 电化学性能表征 | 第26-28页 |
| 2.4.1 充放电性能测试 | 第26页 |
| 2.4.2 研究电极的制备 | 第26-27页 |
| 2.4.3 充放电测试装置 | 第27页 |
| 2.4.4 充放电测试方法 | 第27-28页 |
| 3 氢氧化镍微结构和电化学性能的关系 | 第28-45页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 XRD 衍射分析 | 第28-30页 |
| 3.3 红外光谱分析 | 第30-32页 |
| 3.4 SEM 分析 | 第32页 |
| 3.5 电化学性能的表征 | 第32-36页 |
| 3.5.1 充放电性能测试 | 第32-35页 |
| 3.5.2 循环寿命性能 | 第35-36页 |
| 3.6 其它制备条件对氢氧化镍微结构的影响 | 第36-40页 |
| 3.6.1 水热合成反应时间 | 第36-37页 |
| 3.6.2 溶剂氨水的影响 | 第37-40页 |
| 3.7 电化学性能与微结构的关系 | 第40-44页 |
| 3.7.1 放电容量与 d001的关系 | 第41-42页 |
| 3.7.2 放电容量与 XRD 衍射峰半高宽的关系 | 第42-44页 |
| 3.8 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 氢氧化镍微结构缺陷研究 | 第45-52页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 氢氧化镍微结构缺陷的 X 射线衍射特征 | 第45-46页 |
| 4.3 固体材料微结构的 XRD 提取方法 | 第46-48页 |
| 4.4 β-Ni(OH)_2层错率的计算 | 第48-51页 |
| 4.4.1 XRD 衍射数据的测定 | 第48-49页 |
| 4.4.2 层错率的计算 | 第49-50页 |
| 4.4.3 充放电性能测试 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 新型氢氧化镍正极材料的表征 | 第52-59页 |
| 5.1 实验原料和制备方法 | 第52-53页 |
| 5.2 样品的 XRD 分析 | 第53-54页 |
| 5.3 样品的 SEM 结果分析 | 第54页 |
| 5.4 样品的电化学性能测试 | 第54-58页 |
| 5.4.1 25℃下样品的充放电性能 | 第54-55页 |
| 5.4.2 65℃样品充放电性能 | 第55-56页 |
| 5.4.3 循环性能 | 第56-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 在学期间研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
