| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 薄膜应变计研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 应变敏感材料的选择 | 第12-13页 |
| 1.4 NiCr薄膜的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5 选题依据与研究内容 | 第15-16页 |
| 1.5.1 选题的依据 | 第15页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜应变理论与表征方法 | 第16-27页 |
| 2.1 薄膜应变灵敏系数 | 第16-18页 |
| 2.2 薄膜结构性能的表征方法 | 第18-24页 |
| 2.2.1 X-射线衍射 | 第19页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第19-21页 |
| 2.2.3 霍尔效应仪 | 第21-22页 |
| 2.2.4 台阶仪 | 第22页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第22-24页 |
| 2.3 薄膜应变计性能的表征 | 第24-27页 |
| 2.3.1 薄膜应变计的热输出 | 第24页 |
| 2.3.2 电阻温度系数(TCR)的测试 | 第24页 |
| 2.3.3 应变灵敏系数(GF)的测试 | 第24-27页 |
| 第三章 NiCr薄膜应变计的工作原理和制备 | 第27-42页 |
| 3.1 薄膜应变计的工作原理 | 第27-28页 |
| 3.2 NiCr高温薄膜应变计的制备 | 第28-31页 |
| 3.2.1 NiCr薄膜应变计制备设备的选择 | 第28-29页 |
| 3.2.2 靶材的选择 | 第29-30页 |
| 3.2.3 NiCr高温薄膜应变计工艺选择 | 第30-31页 |
| 3.3 NiCr高温薄膜电阻应变计的结构 | 第31-32页 |
| 3.4 NiCr薄膜应变计的制备 | 第32-40页 |
| 3.4.1 超合金基底处理 | 第32-33页 |
| 3.4.2 SiO_2绝缘薄膜的制备 | 第33页 |
| 3.4.3 NiCr薄膜应变计的光刻工艺 | 第33-39页 |
| 3.4.4 NiCr薄膜的制备 | 第39页 |
| 3.4.5 SiN_xO_y和ITO保护薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.5 引线的连接 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小洁 | 第41-42页 |
| 第四章 NiCr薄膜应变计高温特性的研究 | 第42-55页 |
| 4.1 常温下NiCr薄膜性能研究 | 第42-46页 |
| 4.1.1 常温下NiCr薄膜电学性能研究 | 第42-44页 |
| 4.1.2 NiCr薄膜的SEM和XRD的测试 | 第44-46页 |
| 4.2 高温处理下NiCr薄膜的XRD分析 | 第46-47页 |
| 4.3 高温处理对NiCr薄膜形貌的影响 | 第47-49页 |
| 4.4 高温处理对于薄膜形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.5 NiCr高温薄膜应变计的保护 | 第50-53页 |
| 4.5.1 覆盖SiN_xO_y保护薄膜的NiCr薄膜材料结构的研究 | 第51-52页 |
| 4.5.2 覆盖ITO保护薄膜的NiCr薄膜材料结构的研究 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 NiCr高温薄膜应变计电学性能和应变测试研究 | 第55-65页 |
| 5.1 不同热处理下NiCr薄膜应变计电学性能 | 第55-56页 |
| 5.2 NiCr薄膜应变计电阻温度系数的测试 | 第56-58页 |
| 5.3 NiCr薄膜的应变计的热输出 | 第58-61页 |
| 5.4 NiCr薄膜应变计应变灵敏系数 | 第61-63页 |
| 5.5 NiCr薄膜应变计机械滞后 | 第63-64页 |
| 5.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69页 |
| 攻读硕士学位期间申请发明专利情况 | 第69页 |
| 攻读硕士学位期间获奖情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
