微波等离子体化学气相沉积高速生长金刚石薄膜的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 金刚石薄膜 | 第10-13页 |
| 1.2.1 金刚石纳米晶薄膜 | 第11-12页 |
| 1.2.2 金刚石多晶薄膜 | 第12-13页 |
| 1.3 金刚石的结构及应用 | 第13-14页 |
| 1.4 金刚石薄膜的生长方法 | 第14-16页 |
| 1.4.1 热丝法CVD | 第14页 |
| 1.4.2 直流热阴极CVD | 第14-15页 |
| 1.4.3 直流等离子体喷射CVD法 | 第15-16页 |
| 1.4.4 微波等离子体CVD法 | 第16页 |
| 1.5 微波等离子体CVD系统结构介绍 | 第16-19页 |
| 1.6 金刚石薄膜的形核机理 | 第19-20页 |
| 1.7 本课题研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验方法 | 第21-24页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第21-22页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第21页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2 金刚石薄膜生长的工艺流程 | 第22页 |
| 2.3 金刚石薄膜的表征方法 | 第22-24页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第22页 |
| 2.3.2 拉曼光谱仪 | 第22-23页 |
| 2.3.3 X射线衍射 | 第23-24页 |
| 第3章工艺参数对金刚石薄膜生长的影响 | 第24-46页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 衬底预处理的影响 | 第24-25页 |
| 3.3 CH_4 浓度的影响 | 第25-30页 |
| 3.4 工作气压的影响 | 第30-33页 |
| 3.5 微波功率的影响 | 第33-38页 |
| 3.6 N_2 浓度的影响 | 第38-41页 |
| 3.7 H_2 流速的影响 | 第41-45页 |
| 3.8 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 （100）晶面取向金刚石薄膜的生长 | 第46-60页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 （100）面择优取向的影响因素 | 第46-57页 |
| 4.2.1 温度的影响 | 第46-50页 |
| 4.2.2 氧气的影响 | 第50-54页 |
| 4.2.3 氧气和温度共同作用的影响 | 第54-57页 |
| 4.3 生长（100）面的金刚石膜 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
