| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究的意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外 SiC 功率开关二极管的发展现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 2 基本原理 | 第14-26页 |
| 2.1 SiC 材料的结构 | 第14-15页 |
| 2.2 SiC 的电学特性 | 第15-17页 |
| 2.3 SiC 的能带结构和少数载流子寿命 | 第17-21页 |
| 2.4 碳化硅肖特基二极管 | 第21-26页 |
| 2.4.1 肖特基势垒 | 第21-23页 |
| 2.4.2 肖特基二极管伏安特性 | 第23-26页 |
| 3 超结肖特基二极管 | 第26-37页 |
| 3.1 超结结构 | 第26-33页 |
| 3.1.1 超结结构的提出和发展 | 第26-27页 |
| 3.1.2 超结结构的特性 | 第27-33页 |
| 3.1.3 结构优化 | 第33页 |
| 3.2 超结肖特基二极管 | 第33-37页 |
| 3.2.1 正向特性 | 第34-35页 |
| 3.2.2 反向特性 | 第35-37页 |
| 4 模拟仿真与分析 | 第37-54页 |
| 4.1 4H-SiC SBD 的基本特性模拟 | 第37-45页 |
| 4.1.1 模拟软件 | 第37-39页 |
| 4.1.2 4H-SiC SBD 的物理模型与参数 | 第39-45页 |
| 4.2 仿真模拟分析 | 第45-54页 |
| 4.2.1 正向特性模拟与分析 | 第45-47页 |
| 4.2.2 反向特性模拟与分析 | 第47-50页 |
| 4.2.3 反向恢复特性模拟与分析 | 第50-52页 |
| 4.2.4 优化后的结构与常规结构的比较 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第59页 |