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双芯GCT封装结构设计及热特性仿真

摘要第3-4页
abstract第4-5页
1 绪论第8-16页
    1.1 研究背景与意义第8-9页
    1.2 国内外研究进展第9-15页
        1.2.1 背面金属化发展第9页
        1.2.2 IGBT封装结构发展第9-12页
        1.2.3 GCT封装结构发展第12-15页
    1.3 本文主要工作第15-16页
2 压接式封装结构及热分析第16-24页
    2.1 压接式封装结构第16-17页
    2.2 热分析第17-19页
        2.2.1 有限元分析方法第17页
        2.2.2 ANSYS软件简介第17-18页
        2.2.3 热分析关键参数第18-19页
    2.3 多层金属化电极热特性分析第19-22页
        2.3.1 芯片多层金属化结构第19-20页
        2.3.2 多层金属化热特性仿真第20-22页
        2.3.3 芯片电极参数优化第22页
    2.4 本章小结第22-24页
3 双芯GCT封装结构的设计与热特性分析第24-40页
    3.1 GCT与双芯GCT结构特点第24-25页
        3.1.1 GCT结构特点第24页
        3.1.2 双芯GCT结构特点第24-25页
    3.2 双芯GCT封装结构的设计第25-29页
        3.2.1 绝缘座的设计第25-26页
        3.2.2 芯片电极布局设计第26-27页
        3.2.3 管座的设计第27-28页
        3.2.4 管壳设计第28-29页
    3.3 热特性仿真及其结果分析第29-33页
        3.3.1 温度分布第29-31页
        3.3.2 热可靠性验证第31-32页
        3.3.3 功耗对热特性的影响第32-33页
        3.3.4 热机械应力结果分布第33页
    3.4 高低温循环模拟与温度冲击下的热形变分析第33-35页
        3.4.1 模拟条件第33-34页
        3.4.2 温度与热形变结果分布第34-35页
    3.5 封装管壳形状对热特性的影响分析第35-38页
        3.5.1 方形与圆形管壳压接式模型第35-36页
        3.5.2 热特性仿真分析第36-38页
    3.6 本章小结第38-40页
4 集成化双芯GCT封装结构的设计与热特性分析第40-52页
    4.1 ICT与Dual-ICT结构特点第40-41页
        4.1.1 ICT结构特点第40页
        4.1.2 Dual-ICT结构特点第40-41页
    4.2 Dual-ICT封装结构的设计第41-45页
        4.2.1 关断电路的集成第41-43页
        4.2.2 管座设计第43页
        4.2.3 管壳设计第43-45页
    4.3 温度分布与热机械应力分布第45-49页
        4.3.1 温度分布第45-46页
        4.3.2 结构优化第46-47页
        4.3.3 热机械应力分布第47-48页
        4.3.4 散热方式优化第48-49页
    4.4 温度冲击条件下的热形变分析第49-51页
        4.4.1 温度冲击条件第49-50页
        4.4.2 温度结果第50页
        4.4.3 热形变结果第50-51页
    4.5 本章小结第51-52页
5 结论第52-54页
致谢第54-56页
参考文献第56-59页
附录:在校学习期间所发表论文第59页

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