| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 超导的基本概念 | 第11-12页 |
| 1.2 MgB_2超导体 | 第12-19页 |
| 1.2.1 MgB_2晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 MgB_2的能级结构 | 第13-15页 |
| 1.2.3 MgB_2同位素效应 | 第15-16页 |
| 1.2.4 MgB_2上临界磁场H_(C2)(T) | 第16-17页 |
| 1.2.5 MgB_2临界电流密度J_C | 第17-19页 |
| 1.3 MgB_2的研究背景与现状 | 第19-21页 |
| 1.3.1 MgB_2的研究背景 | 第19-20页 |
| 1.3.2 MgB_2的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 MgB_2的应用优势 | 第21-22页 |
| 1.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第2章 制备MgB_2薄膜的实验仪器介绍 | 第23-26页 |
| 2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第23页 |
| 2.2 电学磁学性质测量系统 | 第23-24页 |
| 2.3 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.4 膜厚的测量 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 HPCVD方法制备MgB_2超导薄膜样品 | 第26-36页 |
| 3.1 HPCVD方法制备MgB_2薄膜实验装置 | 第27-31页 |
| 3.2 HPCVD方法中影响MgB_2薄膜质量的因素 | 第31-34页 |
| 3.2.1 Mg源 | 第31-32页 |
| 3.2.2 反应舱 | 第32页 |
| 3.2.3 气体的纯度 | 第32页 |
| 3.2.4 温度的控制 | 第32-34页 |
| 3.2.5 衬底 | 第34页 |
| 3.2.6 载气 | 第34页 |
| 3.2.7 系统总压强 | 第34页 |
| 3.3 HPCVD方法中影响沉积速率的因素 | 第34-35页 |
| 3.3.1 B_2H_6的流量与浓度 | 第34-35页 |
| 3.3.2 沉积温度 | 第35页 |
| 3.3.3 气体流速 | 第35页 |
| 3.3.4 载气的流量 | 第35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 HPCVD方法制备MgB_2超导薄膜的性质研究 | 第36-52页 |
| 4.1 HPCVD法制备MgB_2薄膜的实验步骤 | 第36-38页 |
| 4.1.1 准备工作 | 第36-37页 |
| 4.1.2 反应与沉积 | 第37页 |
| 4.1.3 保存和清理 | 第37-38页 |
| 4.1.4 基本参数 | 第38页 |
| 4.2 在不同实验参数下制备MgB_2薄膜的性质研究 | 第38-46页 |
| 4.2.1 改变反应舱的背景压强 | 第38-41页 |
| 4.2.2 改变反应温度 | 第41-43页 |
| 4.2.3 改变B_2H_6的流量 | 第43-44页 |
| 4.2.4 改变沉积时间 | 第44-46页 |
| 4.2.5 本节小结 | 第46页 |
| 4.3 在MgO衬底上制备MgB_2薄膜性质的研究 | 第46-52页 |
| 4.3.1 实验过程与实验条件 | 第46-47页 |
| 4.3.2 结果分析与讨论 | 第47-51页 |
| 4.3.3 本节小结 | 第51-52页 |
| 第5章 结论和展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
