| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第9-13页 |
| 1.1.1 巨磁电阻效应 | 第9-11页 |
| 1.1.2 隧穿磁电阻 | 第11-13页 |
| 1.2 半金属 | 第13-14页 |
| 1.3 CrO_2的性质 | 第14-18页 |
| 1.3.1 CrO_2的物理性质 | 第14-15页 |
| 1.3.2 CrO_2的电子结构和磁性性质 | 第15-18页 |
| 1.4 论文的选题背景和安排 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法以及理论计算 | 第20-24页 |
| 2.1 化学气相沉积法的装置与原理 | 第20-22页 |
| 2.2 样品的表征 | 第22-24页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第22页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱 | 第22页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.4 振动样品磁强计 | 第23-24页 |
| 第三章 N掺杂CrO_2薄膜的制备以及磁性研究 | 第24-39页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 N掺杂CrO_2薄膜的制备 | 第25页 |
| 3.3 N掺杂CrO_2薄膜的测试和表征 | 第25-38页 |
| 3.3.1 N掺杂CrO_2薄膜的物象表征 | 第25-31页 |
| 3.3.2 N掺杂CrO_2薄膜的磁性分析 | 第31-33页 |
| 3.3.3 N掺杂CrO_2薄膜的热稳定性研究 | 第33-34页 |
| 3.3.4 N掺杂CrO_2薄膜的第一性原理计算 | 第34-38页 |
| 3.4 本章小节 | 第38-39页 |
| 第四章 通过制备温度和输运气体调控CrO_2的性质 | 第39-52页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 薄膜的制备 | 第40页 |
| 4.3 不同条件下制备的CrO_2薄膜的晶格结构和质量分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 不同条件制备的CrO_2薄膜的XRD表征 | 第40-43页 |
| 4.3.2 温度和输运气体调控薄膜的质量 | 第43-45页 |
| 4.4 薄膜的磁性能 | 第45-49页 |
| 4.5 薄膜的热稳定性 | 第49-50页 |
| 4.6 本章小节 | 第50-52页 |
| 第五章 不同金红石结构基片对CrO_2薄膜的影响 | 第52-71页 |
| 5.1 引言 | 第52-53页 |
| 5.2 理论研究方法 | 第53-54页 |
| 5.3 块状CrO_2、TiO_2、SnO_2和RuO_2的晶格常数和磁性能 | 第54-57页 |
| 5.4 基片对CrO_2薄膜的电子结构影响 | 第57-67页 |
| 5.4.1 TiO_2基片 | 第58-62页 |
| 5.4.2 SnO_2基片 | 第62-64页 |
| 5.4.3 RuO_2基片 | 第64-67页 |
| 5.5 CrO_2薄膜的各项异性能与基片以及应力的关系 | 第67-69页 |
| 5.6 本章小节 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-79页 |
