摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 相关领域的研究现状 | 第10-14页 |
1.3 论文安排 | 第14-16页 |
第2章 半导体激光器增益谱的实验研究方法 | 第16-26页 |
2.1 Hakki-Paoli测试计算增益谱方法 | 第16-21页 |
2.2 单程放大自发荧光辐射计算增益谱方法 | 第21-23页 |
2.3 其他半导体激光器增益谱的实验研究方法 | 第23-25页 |
2.4 本章小结 | 第25-26页 |
第3章 半导体激光器线宽增强因子 | 第26-32页 |
3.1 半导体线宽增强因子定义 | 第26-28页 |
3.2 半导体线宽增强因子模拟计算方法 | 第28-30页 |
3.3 半导体线宽增强因子实验测量方法 | 第30-31页 |
3.4 本章小结 | 第31-32页 |
第4章 激光器器件的设计与制备 | 第32-50页 |
4.1 外延设计 | 第32-35页 |
4.2 材料生长与测试 | 第35-44页 |
4.3 芯片工艺 | 第44-48页 |
4.4 封装 | 第48页 |
4.5 本章小结 | 第48-50页 |
第5章 器件的测试与计算 | 第50-64页 |
5.1 单程放大自发荧光辐射测试计算增益谱 | 第50-53页 |
5.2 Hakki-Paoli测试计算增益谱方法增益谱 | 第53-57页 |
5.3 两种方法计算的线宽增强因子 | 第57-59页 |
5.4 Hakki-Paoli增益谱计算线宽增强因子与模拟结果对比与分析 | 第59-61页 |
5.5 单程放大自发荧光辐射计算线宽增强因子与模拟结果对比与分析 | 第61-62页 |
5.6 本章小结 | 第62-64页 |
第6章 结论与展望 | 第64-66页 |
6.1 结论 | 第64页 |
6.2 研究展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
在学期间学术成果情况 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |