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1.55μm半导体激光器增益谱和线宽增强因子的理论和实验研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 相关领域的研究现状第10-14页
    1.3 论文安排第14-16页
第2章 半导体激光器增益谱的实验研究方法第16-26页
    2.1 Hakki-Paoli测试计算增益谱方法第16-21页
    2.2 单程放大自发荧光辐射计算增益谱方法第21-23页
    2.3 其他半导体激光器增益谱的实验研究方法第23-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第3章 半导体激光器线宽增强因子第26-32页
    3.1 半导体线宽增强因子定义第26-28页
    3.2 半导体线宽增强因子模拟计算方法第28-30页
    3.3 半导体线宽增强因子实验测量方法第30-31页
    3.4 本章小结第31-32页
第4章 激光器器件的设计与制备第32-50页
    4.1 外延设计第32-35页
    4.2 材料生长与测试第35-44页
    4.3 芯片工艺第44-48页
    4.4 封装第48页
    4.5 本章小结第48-50页
第5章 器件的测试与计算第50-64页
    5.1 单程放大自发荧光辐射测试计算增益谱第50-53页
    5.2 Hakki-Paoli测试计算增益谱方法增益谱第53-57页
    5.3 两种方法计算的线宽增强因子第57-59页
    5.4 Hakki-Paoli增益谱计算线宽增强因子与模拟结果对比与分析第59-61页
    5.5 单程放大自发荧光辐射计算线宽增强因子与模拟结果对比与分析第61-62页
    5.6 本章小结第62-64页
第6章 结论与展望第64-66页
    6.1 结论第64页
    6.2 研究展望第64-66页
参考文献第66-71页
在学期间学术成果情况第71-72页
致谢第72页

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