| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1. 量子点的研究进展及合成 | 第10-13页 |
| 1.1.1. 量子点的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.1.2. 量子点的合成 | 第11-13页 |
| 1.2. 核壳结构量子点 | 第13-18页 |
| 1.2.1. 核壳结构量子点的分类 | 第14-15页 |
| 1.2.2. 核壳结构量子点的合成 | 第15-18页 |
| 1.3. 各向异性量子点的合成 | 第18-19页 |
| 1.4. 量子点在发光二极管中的应用 | 第19-23页 |
| 1.4.1. 量子点发光二极管 | 第19-23页 |
| 1.5. 本论文的选题依据、意义和研究内容 | 第23-25页 |
| 1.5.1. 选题思路及意义 | 第23页 |
| 1.5.2. 研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-32页 |
| 第二章 核壳结构量子点中壳层厚度改变对QD-LEDs器件性能影响 | 第32-46页 |
| 2.1. 引言 | 第32-33页 |
| 2.2. 实验部分 | 第33-35页 |
| 2.2.1. 实验药品与试剂 | 第33-34页 |
| 2.2.2. 测试仪器 | 第34页 |
| 2.2.3. 不同壳层厚度红色量子点的合成与配体交换 | 第34-35页 |
| 2.2.4. QD-LEDs器件的制备 | 第35页 |
| 2.3. 结果与讨论 | 第35-42页 |
| 2.3.1. CdSeS/CdS/ZnS核壳结构量子点的合成 | 第35-37页 |
| 2.3.2. 使用不同壳层厚度核壳量子点作为发光层构筑红色QD-LEDs | 第37-41页 |
| 2.3.3. 通过调节发光层和Zn O层厚度优化器件性能 | 第41-42页 |
| 2.4. 本章小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 高质量CdSe/CdS/ZnS纳米棒的合成及QD-LEDs的应用 | 第46-62页 |
| 3.1. 引言 | 第46-47页 |
| 3.2. 实验部分 | 第47-49页 |
| 3.2.1. 实验药品与试剂 | 第47-48页 |
| 3.2.2. 测试仪器 | 第48页 |
| 3.2.3. 不同壳层厚度红色量子点的合成与配体交换 | 第48-49页 |
| 3.3. 结果与讨论 | 第49-58页 |
| 3.3.1. CdSe/CdS/ZnS纳米棒的合成 | 第49-52页 |
| 3.3.2. 红色纳米棒QD-LEDs的制备 | 第52-57页 |
| 3.3.3. 其他波长的相关数据 | 第57-58页 |
| 3.4. 本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 4.1. 总结 | 第62-63页 |
| 4.2. 展望 | 第63-64页 |
| 研究生期间的成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
