| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）LED器件国内外发展现状 | 第17-20页 |
| 1.3 论文主要工作和章节安排 | 第20-22页 |
| 第二章 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）材料特性与能带计算 | 第22-38页 |
| 2.1 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）材料简介 | 第22-28页 |
| 2.1.1 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）材料的物理性质 | 第22-26页 |
| 2.1.2 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）材料在电学上的应用 | 第26-27页 |
| 2.1.3 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）材料在光学上的应用 | 第27-28页 |
| 2.2 能带计算方法 | 第28-32页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第28-30页 |
| 2.2.2 紧束缚近似方法 | 第30-31页 |
| 2.2.3 赝势法 | 第31-32页 |
| 2.3 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）合金能带计算 | 第32-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）合金生长与锗锡LED器件设计 | 第38-48页 |
| 3.1 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）合金生长 | 第38-39页 |
| 3.2 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）发光二极管（LED）器件结构设计 | 第39-46页 |
| 3.2.1 发光二极管（LED）工作原理 | 第39-41页 |
| 3.2.2 红外发光二极管（LED）的特性 | 第41-42页 |
| 3.2.3 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）发光二极管（LED）器件结构设计 | 第42-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）PIN发光二极管器件仿真 | 第48-68页 |
| 4.1 Silvaco TCAD仿真软件介绍 | 第48-50页 |
| 4.2 发光二极管仿真 | 第50-56页 |
| 4.2.1 锗（Ge）LED与锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）LED简单对比 | 第52-53页 |
| 4.2.2 锗锡（Ge_(0.9)Sn_(0.1)）LED仿真 | 第53-56页 |
| 4.3 锗锡（Ge_(1-x)Sn_x）LED分析与讨论 | 第56-64页 |
| 4.3.1 P/N区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第56-59页 |
| 4.3.2 本征区锗锡（Ge_(0.9)Sn_(0.1)）膜厚度对器件特性的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.3 Sn组分对器件特性的影响 | 第61-64页 |
| 4.4 长方体边缘发射型LED与圆柱体垂直发射型LED | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
| 1.基本情况 | 第76页 |
| 2.教育背景 | 第76页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第76-77页 |
