| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 Ge、GeSn材料及欧姆接触研究背景 | 第16-21页 |
| 1.1.1 CMOS技术发展 | 第16-17页 |
| 1.1.2 Ⅳ族高迁移率材料 | 第17-19页 |
| 1.1.3 Ge/GeSn MOSFET | 第19-21页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第21-24页 |
| 1.2.1 GeSn材料生长 | 第21-23页 |
| 1.2.2 Ge及GeSn接触研究 | 第23-24页 |
| 1.3 研究的目的和内容 | 第24-26页 |
| 1.3.1 研究目标 | 第24页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 Ge/GeSn材料生长及欧姆接触理论与测试表征方法 | 第26-44页 |
| 2.1 Ge/GeSn材料生长及表征方法 | 第26-34页 |
| 2.1.1 Sputter磁控溅射生长原理 | 第26-28页 |
| 2.1.2 材料表征方法 | 第28-34页 |
| 2.2 Ge/GeSn欧姆接触特性及测试方法 | 第34-42页 |
| 2.2.1 Ge/GeSn金半接触相关理论 | 第34-37页 |
| 2.2.2 TLM | 第37-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 GeSn材料溅射生长及退火研究 | 第44-58页 |
| 3.1 GeSn材料Ge基外延 | 第44-51页 |
| 3.1.1 材料生长设备简介 | 第44-45页 |
| 3.1.2 GeSn材料溅射生长 | 第45-47页 |
| 3.1.3 材料特性表征 | 第47-51页 |
| 3.2 GeSn材料退火研究 | 第51-57页 |
| 3.2.1 GeSn材料退火实验 | 第51-53页 |
| 3.2.2 退火后样品特性表征 | 第53-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 Ge/GeSn材料欧姆接触研究 | 第58-72页 |
| 4.1 C-TLM样品结构 | 第58-59页 |
| 4.2 样品制备工艺流程及测试方法 | 第59-62页 |
| 4.3 20nm Ni Ge/GeSn金半接触实验 | 第62-67页 |
| 4.3.1 实验方案及工艺流程 | 第62-63页 |
| 4.3.2 实验结果及分析 | 第63-67页 |
| 4.4 10nm Ni Ge/GeSn金半接触实验 | 第67-69页 |
| 4.4.1 实验方案及工艺流程 | 第67页 |
| 4.4.2 实验结果及分析 | 第67-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
