| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 序论 | 第10-28页 |
| 1.1 磁性半导体概述 | 第10-13页 |
| 1.2 (Ⅲ,Mn)Ⅴ磁性半导体的霍尔效应的研究 | 第13-15页 |
| 1.3 基于Ge的Ⅳ族磁性半导体的研究历史及现状 | 第15-23页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第一章参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 样品的制备与测量 | 第28-39页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第28-31页 |
| 2.1.1 薄膜制备简介 | 第28-30页 |
| 2.1.2 基片清洗 | 第30页 |
| 2.1.3 样品制备 | 第30-31页 |
| 2.2 样品的磁特性和输运特性测量 | 第31-35页 |
| 2.2.1 磁性能测量 | 第31-34页 |
| 2.2.2 输运特性测量 | 第34-35页 |
| 2.3 样品的成分和结构测量 | 第35-37页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第35-36页 |
| 2.3.2 磁圆二向色性谱(MCD) | 第36页 |
| 2.3.3 透射电镜 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第二章参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 Mn_xGe_(1-x)的结构和磁特性测量 | 第39-51页 |
| 3.1 结构测量 | 第39-45页 |
| 3.1.1 XRD测量 | 第39-41页 |
| 3.1.2 TEM测量 | 第41-45页 |
| 3.2 磁性测量6 | 第45-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 Mn_xGe_(1-x)的输运特性及其霍尔效应的研究 | 第51-69页 |
| 4.1 输运特性测量 | 第51-55页 |
| 4.1.1 I—V曲线 | 第51-52页 |
| 4.1.2 R—T曲线 | 第52-55页 |
| 4.2 霍尔效应的研究 | 第55-67页 |
| 4.2.1 正常霍尔效应原理 | 第55-59页 |
| 4.2.2 反常霍尔效应原理 | 第59-62页 |
| 4.2.3 实验数据分析 | 第62-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章参考文献 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-74页 |
| 第五章参考文献 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第75页 |