| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号说明 | 第15-16页 |
| 第一章 前言 | 第16-26页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 光刻工艺简介 | 第16-23页 |
| 1.2.1 硅片预烘烤 | 第17页 |
| 1.2.2 HMDS 处理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 光刻胶涂布 | 第18-19页 |
| 1.2.4 成膜软烘烤 | 第19-20页 |
| 1.2.5 晶圆周边曝光 | 第20-21页 |
| 1.2.6 光刻机曝光处理 | 第21-22页 |
| 1.2.7 曝光后烘烤 | 第22-23页 |
| 1.2.8 显影 | 第23页 |
| 1.2.9 坚膜烘烤 | 第23页 |
| 1.3 本论文的研究背景与意义 | 第23-24页 |
| 1.4 本论文的研究方向与内容 | 第24页 |
| 1.5 论文的主要内容与章节安排 | 第24-26页 |
| 第二章 某功率 MOS 产品特殊图形倒胶案例分析 | 第26-37页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 功率半导体概述及发展前景 | 第26-27页 |
| 2.2.1 功率半导体器件的分类及发展历史 | 第26-27页 |
| 2.2.2 功率半导体器件的发展前景 | 第27页 |
| 2.3 某功率 MOS 产品特殊图形倒胶案例 | 第27-29页 |
| 2.4 HMDS 处理原理概述 | 第29-31页 |
| 2.5 接触角测定原理 | 第31-34页 |
| 2.5.1 液滴法测试接触角 | 第32-33页 |
| 2.5.2 半球法测试接触角 | 第33页 |
| 2.5.3 连续注射法测定接触角 | 第33-34页 |
| 2.6 HMDS 处理单元硬件工作原理 | 第34-36页 |
| 2.6.1 HMDS 蒸汽产生装置原理 | 第34-35页 |
| 2.6.2 HMDS 反应腔体装置工作原理 | 第35-36页 |
| 2.6.3 HMDS 的特性 | 第36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 HMDS 工艺腔体硬件参数对接触角的影响的分析与实验设计 | 第37-50页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 东京电子制 Mark8 型涂胶显影机 HMDS 处理单元结构及工作原理 | 第37-41页 |
| 3.2.1 Mark8 型涂胶显影机简介 | 第37-38页 |
| 3.2.2 Mark8 型涂胶显影机所安装的 HMDS 处理单元结构 | 第38-41页 |
| 3.3 影响 HMDS 工艺能力的硬件参数 | 第41-45页 |
| 3.3.1 HMDS 蒸汽浓度 | 第42-43页 |
| 3.3.2 反应腔体真空度 | 第43-44页 |
| 3.3.3 HMDS 蒸汽更新速率 | 第44-45页 |
| 3.4 实验设计与实验方法 | 第45-49页 |
| 3.4.1 HMDS 蒸汽浓度相关实验设计 | 第45-47页 |
| 3.4.2 HMDS 反应腔体真空度相关实验设计 | 第47-48页 |
| 3.4.3 HMDS 蒸汽更新速率相关实验设计 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 HMDS 硬件参数对接触角影响的实验及数据分析 | 第50-64页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 实验数据及结果分析 | 第50-63页 |
| 4.2.1 HMDS 蒸汽浓度对接触角的影响 | 第50-53页 |
| 4.2.2 HMDS 反应腔体真空度对接触角的影响 | 第53-60页 |
| 4.2.3 HMDS 蒸汽更新速率对接触角的影响 | 第60-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 HMDS 硬件参数改进对缺陷改善的影响分析 | 第64-68页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 缺陷情况 | 第64-66页 |
| 5.2.1 光刻缺陷检测简介 | 第64-65页 |
| 5.2.2 光刻缺陷的种类 | 第65页 |
| 5.2.3 HMDS 硬件参数改进方法及之后产品的缺陷情况 | 第65-66页 |
| 5.3 产品成品率 | 第66-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结束语 | 第68-70页 |
| 6.1 本文总结 | 第68-69页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第74页 |
