| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-19页 |
| 1.1.1 光波导与无源器件 | 第13-14页 |
| 1.1.2 有源光器件 | 第14-15页 |
| 1.1.3 光电集成 | 第15-19页 |
| 1.2 研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 1.3 论文内容构架 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 半导体材料的制备与表征 | 第27-44页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第27-30页 |
| 2.2 半导体材料的表征手段 | 第30-37页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第30-33页 |
| 2.2.2 光致发光(PL) | 第33-36页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第36-37页 |
| 2.2.4 其它表征手段 | 第37页 |
| 2.3 半导体材料表征实例 | 第37-41页 |
| 2.3.1 三元材料应变及组分的确定 | 第37-38页 |
| 2.3.2 四元材料组分的确定 | 第38-39页 |
| 2.3.3 半导体薄膜厚度及生长速率的确定 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 GaAs/Si大失配异变外延 | 第44-64页 |
| 3.1 传统两步法(Two-step method) | 第44-46页 |
| 3.2 低温GaAs缓冲层的优化 | 第46-49页 |
| 3.3 三步法 | 第49-51页 |
| 3.4 循环退火 | 第51-54页 |
| 3.5 应变超晶格对异变GaAs外延层的影响 | 第54-58页 |
| 3.6 利用GaAs/Si异变外延结构制备自卷曲微米管 | 第58-60页 |
| 3.7 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第四章 InAs/GaAs自组织量子点 | 第64-83页 |
| 4.1 量子点概述 | 第64-65页 |
| 4.2 量子点的制备 | 第65-67页 |
| 4.3 单层InAs/GaAs量子点生长与性能优化 | 第67-70页 |
| 4.3.1 InAs沉积速率 | 第67-68页 |
| 4.3.2 Ⅴ/Ⅲ比 | 第68-69页 |
| 4.3.3 InAs生长温度 | 第69-70页 |
| 4.4 多层量子点生长研究 | 第70-76页 |
| 4.4.1 低温GaAs盖层 | 第70-72页 |
| 4.4.2 InGaAs应变减少层 | 第72-75页 |
| 4.4.3 GaAsP应变补偿层 | 第75-76页 |
| 4.5 Si基异变InAs/GaAs量子点的探索 | 第76-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第五章 Ⅲ-Ⅴ族含硼材料的实验研究 | 第83-106页 |
| 5.1 BGaAs三元材料 | 第83-87页 |
| 5.2 BInGaAs四元材料及BInGaAs/GaAs应变多量子阱 | 第87-92页 |
| 5.3 BGaAsSb四元材料及BGaAsSb/GaAs多量子阱 | 第92-102页 |
| 5.3.1 B并入对于GaAsSb厚层生长的影响 | 第92-98页 |
| 5.3.2 B并入对GaAsSb/GaAs MQW结构应变及光学性质的影响 | 第98-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 第六章 总结与展望 | 第106-109页 |
| 缩略词汇 | 第109-110页 |
| 附录 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 攻读博士学位期间发表论文及申请专利 | 第114-115页 |
