| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 SiC MOSFET的应用优势 | 第17-19页 |
| 1.2 SiC MOSFET研究现状及意义 | 第19-22页 |
| 1.3 浮动结SiC UMOSFET | 第22-24页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第24-27页 |
| 第二章 SiC功率UMOSFET器件模型及结构 | 第27-33页 |
| 2.1 仿真软件介绍及求解基本方程 | 第27-28页 |
| 2.2 SiC UMOSFET器件仿真模型 | 第28-31页 |
| 2.2.1 禁带宽度模型和本征载流子模型 | 第28-29页 |
| 2.2.2 迁移率模型 | 第29-30页 |
| 2.2.3 复合模型 | 第30页 |
| 2.2.4 碰撞离化模型 | 第30-31页 |
| 2.2.5 不完全离化模型 | 第31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 SiC浮动结UMOSFET器件的工作原理 | 第33-43页 |
| 3.1 SiC浮动结UMOSFET的工作原理 | 第33-35页 |
| 3.1.1 UMOSFET基本工作原理 | 第33-34页 |
| 3.1.2 SiC浮动结UMOSFET器件的工作原理 | 第34-35页 |
| 3.2 浮动结对UMOSFET关键电学参数的影响 | 第35-39页 |
| 3.2.1 导通电阻 | 第35-37页 |
| 3.2.2 击穿电压 | 第37-38页 |
| 3.2.3 品质因数 | 第38-39页 |
| 3.3 带有P+埋层的UMOSFET新型结构 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 4H-SiC浮动结UMOSFET特性仿真 | 第43-67页 |
| 4.1 4H-SiC浮动结UMOSFET器件仿真参数 | 第43-44页 |
| 4.2 浮动结浓度对 4H-SiC UMOSFET特性的影响 | 第44-50页 |
| 4.2.1 浮动结浓度对 4H-SiC UMOSFET漂移层电场和击穿电压的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.2 浮动结浓度对 4H-SiC UMOSFET栅氧化层电场的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 浮动结浓度对 4H-SiC UMOSFET特征导通电阻的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 浮动结长度对 4H-SiC UMOSFET特性的影响 | 第50-56页 |
| 4.3.1 浮动结长度对 4H-SiC UMOSFET漂移层电场和击穿电压的影响 | 第50-53页 |
| 4.3.2 浮动结长度对 4H-SiC UMOSFET栅氧化层电场的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.3 浮动结长度对 4H-SiC UMOSFET特征导通电阻的影响 | 第55-56页 |
| 4.4 浮动结位置对 4H-SiC UMOSFET特性的影响 | 第56-63页 |
| 4.4.1 浮动结位置对 4H-SiC UMOSFET漂移层电场和击穿电压的影响 | 第57-60页 |
| 4.4.2 浮动结位置对 4H-SiC UMOSFET栅氧化层电场的影响 | 第60-62页 |
| 4.4.3 浮动结位置对 4H-SiC UMOSFET特征导通电阻的影响 | 第62-63页 |
| 4.5 SiC FJ UMOSFET器件的参数设计 | 第63-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
