| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义以及气敏传感器的分类 | 第10-12页 |
| 1.2.2 气敏传感器的主要参数及其表征 | 第12-13页 |
| 1.3 基于纳米微结构的硅基多孔硅气敏传感器 | 第13-15页 |
| 1.3.1 硅基多孔硅简介 | 第13-14页 |
| 1.3.2 硅基多孔硅基气敏传感器的研究与发展 | 第14-15页 |
| 1.4 基于一维金属氧化物纳米结构材料的气敏传感器 | 第15-17页 |
| 1.4.1 一维金属氧化物纳米结构材料简介 | 第15-16页 |
| 1.4.2 基于一维金属氧化物纳米结构的气敏传感器的研究与发展 | 第16-17页 |
| 1.5 多孔硅基金属氧化物纳米结构复合结构气敏传感器的发展 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文的研究目标与内容 | 第18-20页 |
| 第2章 基本理论知识 | 第20-27页 |
| 2.1 硅基多孔硅的制备方法及其气敏机理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 硅基多孔硅的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.1.2 硅基多孔硅气敏传感器的气敏机理 | 第22-24页 |
| 2.2 一维氧化钨纳米结构的制备方法及其气敏机理 | 第24-27页 |
| 2.2.1 一维氧化钨纳米结构的制备方法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 一维氧化钨纳米结构的气敏机理 | 第25-27页 |
| 第3章 实验流程及分析测试 | 第27-33页 |
| 3.1 实验流程概述 | 第27-28页 |
| 3.2 实验设备介绍 | 第28-29页 |
| 3.3 微观表征与分析手段 | 第29-31页 |
| 3.3.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第29页 |
| 3.3.2 X射线衍射(XRD) | 第29-30页 |
| 3.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第30-31页 |
| 3.4 气敏测试系统 | 第31-33页 |
| 第4章 水热法制备氧化钨纳米棒/硅基多孔硅复合结构的研究 | 第33-55页 |
| 4.1 担载氧化钨纳米棒的硅基多孔硅的制备 | 第33-34页 |
| 4.1.1 硅片的准备 | 第33页 |
| 4.1.2 硅基多孔硅的制备 | 第33-34页 |
| 4.2 水热法制备氧化钨纳米棒/硅基多孔硅复合结构的研究 | 第34-38页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第34-35页 |
| 4.2.2 水热法制备WO_3纳米棒/硅基多孔硅复合结构气敏传感器的实验流程 | 第35-38页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第38-54页 |
| 4.3.1 种子层溶液的浓度对WO_3纳米棒/硅基多孔硅复合结构的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.2 种子层热处理温度对WO_3纳米棒/硅基多孔硅复合结构的影响 | 第39-43页 |
| 4.3.3 反应液pH值对WO_3纳米棒/硅基多孔硅复合结构的影响 | 第43-47页 |
| 4.3.4 WO_3纳米棒/硅基多孔硅复合结构气敏传感器的气敏性能研究 | 第47-51页 |
| 4.3.5 WO_3纳米棒/硅基多孔硅复合结构气敏传感器与其它气敏材料气敏性能对比 | 第51-52页 |
| 4.3.6 气敏机理分析 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 水热法制备氧化钨纳米线/硅基多孔硅复合结构的研究 | 第55-62页 |
| 5.1 水热法制备WO_3纳米线/硅基多孔硅复合结构的实验流程 | 第55-57页 |
| 5.2 实验结果分析 | 第57-60页 |
| 5.2.1 水热反应时间对WO_3纳米线/硅基多孔硅复合结构的影响 | 第57-58页 |
| 5.2.2 (NH4)2SO4的量对WO_3纳米线/硅基多孔硅复合结构的影响 | 第58页 |
| 5.2.3 XRD物相分析 | 第58-59页 |
| 5.2.4 TEM分析 | 第59-60页 |
| 5.2.5 反应机理分析 | 第60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第6章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
