摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-17页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 氧化亚铜基本特性 | 第9-10页 |
1.2.1 氧化亚铜晶体结构 | 第9页 |
1.2.2 氧化亚铜的光电性质 | 第9-10页 |
1.3 氧化亚铜的应用 | 第10-12页 |
1.3.1 Cu_2O在太阳能电池中的应用 | 第10-11页 |
1.3.2 Cu_2O在其他领域的应用 | 第11-12页 |
1.4 氧化亚铜的制备方法 | 第12-16页 |
1.4.1 高温热氧化法 | 第12页 |
1.4.2 热蒸镀法 | 第12-13页 |
1.4.3 磁控溅射法 | 第13页 |
1.4.4 分子束外延法 | 第13-14页 |
1.4.5 电化学沉积法 | 第14页 |
1.4.6 溶胶-凝胶法 | 第14-16页 |
1.5 本文研究思路及实验内容 | 第16-17页 |
第二章 氧化亚铜晶体材料制备表征 | 第17-28页 |
2.1 前言 | 第17-18页 |
2.2 热氧化法制备Cu_2O晶体 | 第18-20页 |
2.2.1 实验仪器 | 第18页 |
2.2.2 实验试剂及材料 | 第18页 |
2.2.3 实验流程 | 第18-20页 |
2.3 氧化亚铜晶体表征 | 第20-27页 |
2.3.1 晶体结构性能表征 | 第20-21页 |
2.3.2 晶体材料的光学性能表征 | 第21-22页 |
2.3.3 晶体表面形貌表征 | 第22-23页 |
2.3.4 Cu_2O晶体霍尔效应测试分析(Hall Effect) | 第23-24页 |
2.3.5 Cu_2O不同晶面的电学性质测试 | 第24-25页 |
2.3.6 开尔文探针力显微镜(KPFM)表征晶体材料表面电势 | 第25-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 热蒸发法制备Cu_2O薄膜及Si/Cu_2O异质结光电特性研究 | 第28-38页 |
3.1 前言 | 第28-29页 |
3.2 Si/Cu_2O异质结器件制作 | 第29-32页 |
3.2.1 实验仪器 | 第29-30页 |
3.2.2 实验试剂及材料 | 第30页 |
3.2.3 实验流程 | 第30-32页 |
3.3 Si/Cu_2O异质结器件性能测试 | 第32-37页 |
3.3.1 X射线光电子能谱对薄膜测试分析 | 第32-33页 |
3.3.2 太阳能器件效率测试分析 | 第33-37页 |
3.4 本章小结 | 第37-38页 |
第四章 磁控溅射法制备Cu_2O薄膜及Si/Cu_2O异质结光电特性研究 | 第38-46页 |
4.1 前言 | 第38-39页 |
4.2 实验部分 | 第39-42页 |
4.2.1 实验仪器 | 第39页 |
4.2.2 实验材料 | 第39-40页 |
4.2.3 实验流程 | 第40-42页 |
4.3 Cu_2O薄膜表征 | 第42-43页 |
4.3.1 不同氧气流量对Cu_2O薄膜结构的影响 | 第42页 |
4.3.2 不同氧气流量对Cu_2O薄膜光学性能影响 | 第42-43页 |
4.4 Si/Cu_2O异质结器件性能测试表征 | 第43-45页 |
4.5 本章小结 | 第45-46页 |
第五章 总结和展望 | 第46-48页 |
5.1 总结 | 第46-47页 |
5.2 展望 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-52页 |
硕士期间发表的学术论文 | 第52-53页 |
致谢 | 第53页 |