LTE CMOS射频功率放大器的研究与设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 CMOS射频功率放大器的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3 国内外商业现状及分析 | 第14-15页 |
| 1.4 高效率与高线性度的射频功率放大器改善技术 | 第15-18页 |
| 1.4.1 PA效率增强技术 | 第15-17页 |
| 1.4.2 PA线性增强技术 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容及章节内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 SOI CMOS工艺 | 第19-36页 |
| 2.1 常见的射频工艺 | 第19-20页 |
| 2.2 CMOS技术和缩小理论 | 第20-21页 |
| 2.3 SOI CMOS工艺的射频特性 | 第21-35页 |
| 2.3.1 SOI CMOS工艺 | 第21-23页 |
| 2.3.2 SOI CMOS衬底 | 第23-24页 |
| 2.3.3 部分耗尽与全耗尽的SOI FET | 第24-25页 |
| 2.3.4 SOI中的浮体效应 | 第25-27页 |
| 2.3.5 体接触型SOI的体电压控制 | 第27-28页 |
| 2.3.6 SOI模型 | 第28-30页 |
| 2.3.7 高频趋肤效应 | 第30页 |
| 2.3.8 电阻模型 | 第30-32页 |
| 2.3.9 电容模型 | 第32-33页 |
| 2.3.10 电感模型 | 第33-35页 |
| 2.4 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 射频功率放大器理论 | 第36-49页 |
| 3.1 无线通信系统与LTE通信技术 | 第36-38页 |
| 3.2 负载线理论和LOADPULL技术 | 第38-39页 |
| 3.3 射频功率放大器设计理论 | 第39-48页 |
| 3.3.1 射频功率放大器的类型 | 第39-41页 |
| 3.3.2 功率放大器的常见指标 | 第41-46页 |
| 3.3.3 二端口S参量与稳定性 | 第46-47页 |
| 3.3.4 多级功率放大器的特性 | 第47-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 堆叠结构的F类功放设计 | 第49-76页 |
| 4.1 SOI CMOS工艺的击穿机制 | 第49页 |
| 4.2 LTE射频功率放大器设计指标 | 第49-50页 |
| 4.3 IBM SOI CMOS工艺 | 第50-52页 |
| 4.4 MOS管的选择与尺寸估计 | 第52-54页 |
| 4.5 F类功放匹配电路设计 | 第54-57页 |
| 4.6 晶体管KNEE电压 | 第57-58页 |
| 4.7 堆叠结构的功率放大器结构 | 第58-62页 |
| 4.8 两级堆叠结构的F类功率放大器 | 第62-67页 |
| 4.8.1 堆叠功率放大器结构的偏置微调 | 第63-65页 |
| 4.8.2 偏置电路设计 | 第65-67页 |
| 4.9 版图与布局 | 第67-68页 |
| 4.10 仿真结果 | 第68-75页 |
| 4.11 小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第84-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
