基于热机偏转的红外探测技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·红外探测技术概述 | 第8-15页 |
| ·红外探测技术发展 | 第11-12页 |
| ·红外探测器的分类 | 第12-14页 |
| ·目前红外探测器存在的问题 | 第14-15页 |
| ·光学读出式红外探测器的研究进展 | 第15-18页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第18-20页 |
| 2 基于热机偏转的红外探测系统 | 第20-26页 |
| ·探测系统介绍 | 第20-21页 |
| ·探测器敏感机理 | 第21-24页 |
| ·双材料梁探测机理 | 第21-23页 |
| ·材料选择 | 第23-24页 |
| ·探测器件的成像原理 | 第24页 |
| ·基于热机偏转红外探测器件实验设计 | 第24-26页 |
| ·器件单元设计 | 第24页 |
| ·氮化硅性能测试 | 第24-25页 |
| ·器件制作 | 第25-26页 |
| 3 器件单元设计及制备方法 | 第26-34页 |
| ·单元结构设计 | 第26-27页 |
| ·微悬臂梁制作工艺 | 第27-28页 |
| ·红外吸收层制作 | 第28-31页 |
| ·PECVD沉积系统 | 第28-29页 |
| ·感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术 | 第29-31页 |
| ·反光层制作 | 第31-34页 |
| ·磁控溅射系统 | 第31-32页 |
| ·金膜的剥离 | 第32-34页 |
| 4 用于红外吸收层的薄膜性能研究 | 第34-49页 |
| ·氮化硅的结构 | 第34页 |
| ·氮化硅薄膜的基本性质 | 第34-35页 |
| ·氮化硅薄膜的制备工艺 | 第35页 |
| ·氮化硅薄膜刻蚀工艺的研究 | 第35-41页 |
| ·薄膜制备参数 | 第35-36页 |
| ·掩膜制作 | 第36页 |
| ·数据检测 | 第36页 |
| ·实验数据及分析 | 第36-41页 |
| ·氮化硅薄膜应力分析 | 第41-44页 |
| ·测试原理 | 第41-42页 |
| ·测试数据及分析 | 第42-44页 |
| ·氮化硅红外吸收性能分析 | 第44-48页 |
| ·测试原理 | 第44页 |
| ·实验数据检测及分析 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 器件制作 | 第49-63页 |
| ·牺牲层制作 | 第49-58页 |
| ·牺牲层材料选择 | 第49页 |
| ·牺牲层生长 | 第49-50页 |
| ·牺牲层图形化 | 第50-55页 |
| ·牺牲层的固化 | 第55-56页 |
| ·PI胶等离子体刻蚀 | 第56-58页 |
| ·反光层制备 | 第58-60页 |
| ·反光层图形化 | 第58-59页 |
| ·磁控溅射制备金膜 | 第59-60页 |
| ·红外吸收层制作 | 第60-62页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第60-61页 |
| ·氮化硅薄膜的刻蚀 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 6 结论 | 第63-66页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
