| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-28页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·传统半导体存储器简介 | 第12-14页 |
| ·只读存储器简介 | 第12-13页 |
| ·随机存储器简介 | 第13-14页 |
| ·新型半导体存储器简介 | 第14-17页 |
| ·铁电随机存取存储器简介 | 第14-15页 |
| ·磁性随机存储器简介 | 第15-16页 |
| ·相变存储器简介 | 第16-17页 |
| ·相变存储器 | 第17-27页 |
| ·相变存储器的发展和现状 | 第17-18页 |
| ·相变存储材料 | 第18-21页 |
| ·相变存储器存在的一些问题 | 第21-27页 |
| ·课题的研究目的和主要内容 | 第27-28页 |
| 第2章 实验原理和方法 | 第28-47页 |
| ·透射电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·透射电子显微镜的技术方法 | 第29-33页 |
| ·选区电子衍射 | 第29-30页 |
| ·电子显微像---振幅衬度和相位衬度 | 第30-31页 |
| ·电子能量损失谱和 X 射线能量色散谱 | 第31-33页 |
| ·相变材料的制备和 TEM 样品 | 第33-35页 |
| ·原子分布函数 | 第35-41页 |
| ·衍射实验的选择 | 第35-36页 |
| ·衍射强度与原子分布函数的关系 | 第36-39页 |
| ·数据的采集和处理 | 第39-41页 |
| ·逆蒙托卡罗模拟 | 第41-45页 |
| ·其它实验和理论方法 | 第45-47页 |
| 第3章 GeTe 相变材料的非晶结构 | 第47-66页 |
| ·非晶结构简介 | 第47-50页 |
| ·GeTe 非晶结构 | 第50-65页 |
| ·背景介绍 | 第50页 |
| ·实验方法 | 第50-52页 |
| ·短程有序结构 | 第52-57页 |
| ·中程有序结构 :“团簇”和“空位” | 第57-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 Ge_xTe_(1-x)系列合金的非晶结构 | 第66-85页 |
| ·引言 | 第66-68页 |
| ·Ge_xTe_(1-x)的非晶结构 | 第68-84页 |
| ·实验方法 | 第68-69页 |
| ·短程有序结构 | 第69-74页 |
| ·中程有序结构 | 第74-82页 |
| ·非晶 Ge_xTe_(1-x) 合金结晶行为的讨论 | 第82-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 结论 | 第85-86页 |
| 创新点 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第103页 |
| 攻读博士期间承担的项目 | 第103页 |