基于有限体积法的半导体器件数值模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·半导体器件模拟的发展及国内外研究动态 | 第9-10页 |
| ·半导体器件模拟的定义 | 第10-11页 |
| ·主要工作及创新 | 第11页 |
| ·本论文的主要结构安排 | 第11-13页 |
| 第二章 半导体特性 | 第13-34页 |
| ·半导体材料 | 第13页 |
| ·E(k)～k尼关系 | 第13-18页 |
| ·自由电子E(k)～k关系 | 第14-15页 |
| ·布里渊区与能带 | 第15-16页 |
| ·能隙和有效质量 | 第16-18页 |
| ·平衡态电子的统计分布 | 第18-28页 |
| ·Fermi分布函数 | 第18-20页 |
| ·Bolzmann分布函数 | 第20页 |
| ·半导体中的载流子 | 第20-22页 |
| ·非简并载流子浓度 | 第22-23页 |
| ·简并载流子浓度 | 第23-24页 |
| ·本征载流子浓度 | 第24-25页 |
| ·禁带变窄效应和有效本征载流子浓度 | 第25-27页 |
| ·杂质半导体的载流子浓度 | 第27-28页 |
| ·非平衡态载流子 | 第28-34页 |
| ·准Fermi能级 | 第28-29页 |
| ·载流子的产生与复合 | 第29-34页 |
| ·辐射复合 | 第30页 |
| ·SRH复合 | 第30-31页 |
| ·表面复合 | 第31-32页 |
| ·俄歇复合 | 第32页 |
| ·碰撞电离 | 第32-34页 |
| 第三章 半导体器件的数值模拟 | 第34-52页 |
| ·半导体器件数值模拟的物理模型 | 第34-37页 |
| ·漂移扩散模型方程 | 第34-36页 |
| ·归一化 | 第36-37页 |
| ·网格划分 | 第37-39页 |
| ·数值计算方法 | 第39-41页 |
| ·有限体积法 | 第39-40页 |
| ·控制体积在有限体积法中的选择 | 第40-41页 |
| ·方程的离散 | 第41-47页 |
| ·Poisson方程的离散 | 第41-45页 |
| ·电流连续性方程的离散 | 第45-47页 |
| ·边界条件 | 第47-49页 |
| ·欧姆接触界面 | 第47-48页 |
| ·肖特基接触界面 | 第48-49页 |
| ·半导体与介质界面 | 第49页 |
| ·求解 | 第49-52页 |
| 第四章 n-p-n晶体管的数值模拟分析 | 第52-66页 |
| ·晶体管 | 第52页 |
| ·建立模型 | 第52-55页 |
| ·网格划分 | 第55-57页 |
| ·模型方程的离散及求解 | 第57-58页 |
| ·模拟结果分析 | 第58-66页 |
| ·平衡态时的一些特征分布 | 第58-63页 |
| ·晶体管的输出特性曲线 | 第63-66页 |
| 第五章 结束语 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70页 |
