| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-17页 |
| ·课题的背景和研究意义 | 第13-16页 |
| ·带隙基准的历史及应用范围 | 第13页 |
| ·CMOS 基准电压的研究现状 | 第13-15页 |
| ·带隙电路设计的挑战及研究的意义 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-17页 |
| ·本论文的目的 | 第16页 |
| ·本论文的组成部分 | 第16-17页 |
| 第2章 带隙基准的理论基础 | 第17-26页 |
| ·带隙基准源的理论基础 | 第17-23页 |
| ·PN 结二极管的基本理论 | 第17-18页 |
| ·PN 结二极管的负温度系数特性 | 第18-19页 |
| ·正温度系数电压 | 第19-20页 |
| ·带隙基准电路架构 | 第20-22页 |
| ·CMOS 工艺下的可实现性 | 第22-23页 |
| ·带隙基准的性能参数 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 高精度带隙基准源的设计 | 第26-60页 |
| ·设计指标的确定 | 第26页 |
| ·带隙基准中运放的选择 | 第26-44页 |
| ·电流模式带隙基准的 PSR | 第27-29页 |
| ·电压模带隙基准电路 | 第29-31页 |
| ·带隙中运算放大器的设计 | 第31-44页 |
| ·启动电路 | 第44-50页 |
| ·启动电路的介绍和设计要求 | 第44-45页 |
| ·启动电路的启动原理 | 第45-46页 |
| ·典型的启动电路 | 第46-49页 |
| ·总结 | 第49-50页 |
| ·高阶曲率补偿 | 第50-59页 |
| ·Vbe 线性化方法 | 第50-52页 |
| ·基于不同类型电阻 | 第52-53页 |
| ·一种新颖的高阶温度补偿方法 | 第53-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 低压、低温度系数、高电源抑制的带隙基准设计 | 第60-69页 |
| ·带隙基准电路的最终拓扑 | 第60-61页 |
| ·电路的仿真验证 | 第61-67页 |
| ·直流（DC）仿真验证 | 第61-63页 |
| ·交流（AC）仿真验证 | 第63-65页 |
| ·瞬态(TRAN)仿真验证 | 第65-67页 |
| ·缓冲器的设计 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第5章 版图设计及后仿真 | 第69-74页 |
| ·CMOS 带隙基准中的误差源 | 第69-72页 |
| ·电流模带隙基准电路误差源的研究 | 第69-71页 |
| ·减小误差源的措施 | 第71-72页 |
| ·基准输出工艺误差的修正 | 第72页 |
| ·带隙基准电路版图的设计 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第6章 芯片测试 | 第74-79页 |
| ·DC 测试 | 第74-76页 |
| ·线性调整率的测试 | 第74-75页 |
| ·温度系数的测试 | 第75-76页 |
| ·功耗测试 | 第76页 |
| ·AC 测试 | 第76-77页 |
| ·瞬态测试 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第7章 结论与展望 | 第79-81页 |
| ·结论 | 第79-80页 |
| ·展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参加科研情况 | 第85-86页 |