| 1 绪论 | 第1-21页 |
| 1．1 研究的背景和意义 | 第10-12页 |
| 1．2 三代管的结构及特点 | 第12-13页 |
| 1．3 透射式GaAs光电阴极的结构及|艺特点 | 第13-16页 |
| 1．4 三代管的发展及现状 | 第16-21页 |
| 1．5论文的主要内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 2 GaAs光电阴极的理论基础 | 第21-36页 |
| 2．1 GaAs的原子结构 | 第21-25页 |
| 2．2 GaAs的电子结构 | 第25-26页 |
| 2．3 GaAs的电子跃迁儿率 | 第26-29页 |
| 2．4 GaAs光电阴极光电子逸出的三种模型 | 第29-33页 |
| 2．5 GaAs光电阴极的量子效率 | 第33-36页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 3 GaAs光电阴极外延层的MOCVD生长 | 第36-53页 |
| 3．1 MOCVD设备 | 第36-40页 |
| 3．2 MOCVD所用源的要求和性质 | 第40-42页 |
| 3．3 外延衬底的表面结构 | 第42-44页 |
| 3．4 外延生长的两种模型 | 第44-45页 |
| 3．5 MOCVD外延过程 | 第45-49页 |
| 3．6 AlGaAs/GaAs四层结构外延层的生长 | 第49-53页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 4 半导体外延层的x射线衍射分析 | 第53-83页 |
| 4．1 高分辨力x射线衍射仪 | 第53-57页 |
| 4．2 摇摆曲线及半峰宽 | 第57-59页 |
| 4．3 完全应变与完全弛豫 | 第59-60页 |
| 4．4 摇摆曲线的基本分析方法 | 第60-62页 |
| 4．5 晶格应变x射线衍射分析 | 第62-66页 |
| 4．5．1 晶格应变分析原理 | 第62-64页 |
| 4．5．2 晶格应变分析实例 | 第64-66页 |
| 4．6 AlGaAs外延层Al组份x射线衍射分析 | 第66-70页 |
| 4．6．1 Al组份分析原理 | 第66-69页 |
| 4．6．2 Al组份的分析实例 | 第69-70页 |
| 4．7 外延层内应力的x射线衍射分析 | 第70-75页 |
| 4．7．1 热应力与热应变 | 第70-72页 |
| 4．7．2 应力分析原理 | 第72-73页 |
| 4．7．3 应力分析实例 | 第73-75页 |
| 4．8 倒易点及倒易点二维图 | 第75-78页 |
| 4．9 倒易点二维图分析实例 | 第78-83页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 5 GaAs光电阴极外延层x射线衍射分析 | 第83-101页 |
| 5．1 外延层应变结构形成研究 | 第83-87页 |
| 5．1．1 应变结构形成的生长温度控制模型 | 第83-84页 |
| 5．1．2 应变结构形成的x射线衍射分析 | 第84-87页 |
| 5．2 四层结构外延层摇摆曲线研究 | 第87-94页 |
| 5．2．1 外延层的结构特点 | 第87-88页 |
| 5．2．2 外延层生长温度对衍射角大小的影响 | 第88-91页 |
| 5．2．3 外延层衍射束非相干叠加对摇摆曲线半峰宽的影响 | 第91-92页 |
| 5．2．4 外延层晶格应变对摇摆曲线半峰宽的影响 | 第92-93页 |
| 5．2．5 外延层晶面弯曲对摇摆曲线半峰宽的影响 | 第93-94页 |
| 5．3 GaAs光电阴极外延层晶面弯曲的倒易点二维图研究 | 第94-101页 |
| 5．3．1 外延层弯曲晶面倒易点二维图分析原理 | 第94-95页 |
| 5．3．2 外延层弯曲晶面倒易点二维图研究 | 第95-100页 |
| 参考文献 | 第100-101页 |
| 6 透射式GaAs光电阴极制备 | 第101-112页 |
| 6．1 阴极玻璃窗黑化 | 第101-102页 |
| 6．2 Si_3N_4增透膜制作 | 第102-104页 |
| 6．3 AlGaAs/GaAs外延层热粘结 | 第104-107页 |
| 6．4 AlGaAs/GaAs外延层选择性腐蚀 | 第107-108页 |
| 6．5 GaAs光电阴极欧姆接触电极制作 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 7 第三代像增强器的研制 | 第112-130页 |
| 7．1 MCP离子阻挡膜制备 | 第112-117页 |
| 7．1．1 离子阻挡与透过 | 第112-113页 |
| 7．1．2 MCP离子阻挡膜及其膜厚的确定 | 第113-115页 |
| 7．1．3 MCP离子阻挡膜的制备 | 第115-117页 |
| 7．2 三代管管壳及压封装置 | 第117-119页 |
| 7．3 管壳法兰盘铟槽填铟 | 第119-121页 |
| 7．4 阴极组件烘烤除气后表面氧化的XPS分析 | 第121-124页 |
| 7．4．1 GaAs烘烤与氧化 | 第121页 |
| 7．4．2 样品制备及实验条件 | 第121-123页 |
| 7．4．3 XPS实验结果及分析 | 第123-124页 |
| 7．5 GaAs光电阴极的激活及其灵敏度的稳定性 | 第124-130页 |
| 参考文献 | 第128-130页 |
| 8 总结与建议 | 第130-134页 |
| 8．1 总结 | 第130-131页 |
| 8．2 建议 | 第131-134页 |
| 致 谢 | 第134页 |
