射频磁控溅射法制备ZrW2O8薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第9-13页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第10-11页 |
| ·磁控溅射法的特点及分类 | 第11页 |
| ·射频辉光放电的原理 | 第11-13页 |
| ·负热膨胀材料 | 第13-19页 |
| ·ZrW_2O_8的研究历程 | 第13-14页 |
| ·ZrW_2O_8的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·ZrW_2O_8的性质 | 第15-17页 |
| ·ZrW_2O_8的负热膨胀机理 | 第17-19页 |
| ·ZrW_2O_8薄膜的研究现状 | 第19-20页 |
| ·本课题选题思想及研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 靶材制备、工艺参数选择及前驱体薄膜的制备 | 第22-39页 |
| ·实验材料及靶材制备 | 第22-29页 |
| ·实验材料及靶材的制备工艺 | 第22-24页 |
| ·靶材的外形 | 第24-25页 |
| ·靶材的物相分析 | 第25-27页 |
| ·靶材的断面形貌 | 第27-29页 |
| ·基片的选择及清洗 | 第29-30页 |
| ·基片选择 | 第29页 |
| ·基片清洗 | 第29-30页 |
| ·溅射参数的选择 | 第30-35页 |
| ·溅射气氛 | 第30-32页 |
| ·溅射气压 | 第32-34页 |
| ·溅射功率和偏压 | 第34-35页 |
| ·前驱体薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·前驱体薄膜的制备流程 | 第36-37页 |
| ·前驱体薄膜的物相分析 | 第37-38页 |
| ·前驱体薄膜的形貌分析 | 第38页 |
| ·本章小节 | 第38-39页 |
| 第三章 薄膜后热处理工艺的研究 | 第39-51页 |
| ·热处理温度对薄膜物相的影响 | 第39-44页 |
| ·一号靶材所制备薄膜 | 第40-41页 |
| ·二号靶材所制备薄膜 | 第41-42页 |
| ·三、四、五号靶材所制备薄膜 | 第42-44页 |
| ·热处理时间对薄膜物相的影响 | 第44-46页 |
| ·通氧量对薄膜物相的影响 | 第46页 |
| ·靶材成分对薄膜物相的影响 | 第46-47页 |
| ·密封淬火热处理工艺的研究 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 薄膜的形貌分析及形成机理研究 | 第51-59页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第51-54页 |
| ·不同温度热处理后薄膜的AFM图 | 第51-53页 |
| ·不同温度热处理后薄膜的SEM图 | 第53-54页 |
| ·密封淬火制备ZrW_2O_8薄膜的SEM | 第54页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第54-56页 |
| ·ZrW_2O_8薄膜的生长原理 | 第56-58页 |
| ·前驱体薄膜的生长模式 | 第56-57页 |
| ·非晶态薄膜的形成机理 | 第57-58页 |
| ·ZrW_2O_8薄膜的形成机理 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 ZrW_2O_8薄膜的性能研究 | 第59-65页 |
| ·ZrW_2O_8薄膜的负热膨胀性能研究 | 第59-62页 |
| ·ZrW_2O_8薄膜的介电性能研究 | 第62-63页 |
| ·ZrW_2O_8薄膜的透光性能研究 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论与研究展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·研究展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间相关成果 | 第72页 |
