基于LDMOSFET热载流子效应的可靠性研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第1章 绪论	第9-14页
·高压功率器件LDMOS发展史及其研究意义	第9-10页
·LDMOS的研究进展	第10-12页
·DMG-LDMOS结构	第11-12页
·SOI技术	第12页
·本文的研究工作	第12-14页
第2章 LDMOS的结构模型及其基本特性	第14-29页
·LDMOS的结构模型	第14-19页
·栅极及沟道	第14-16页
·LDMOS的特征结构	第16-19页
·LDMOS的基本特性	第19-28页
·LDMOS的传输特性	第21-22页
·LDMOS的转移特性	第22-23页
·LDMOS的亚阈值区特性	第23-24页
·LDMOS的温度特性	第24-25页
·LDMOS的电容特性	第25-28页
·本章小结	第28-29页
第3章 LDMOS的热载流子效应	第29-45页
·强电场效应	第29-30页
·LDMOS的衬底电流模型	第30-32页
·最坏热载流子应力条件	第32-34页
·LDMOS的热载流子效应分析	第34-44页
·LDMOS的热载流子分布	第34-37页
·杂质分布的影响	第37-38页
·漂移区结构的影响	第38-42页
·场板结构的影响	第42-44页
·本章小结	第44-45页
第4章 LDMOS的可靠性分析	第45-50页
·热载流子效应	第46页
·寄生BJT效应	第46-48页
·Kirk效应	第48页
·自加热效应	第48-49页
·本章小结	第49-50页
第5章 总结与展望	第50-52页
参考文献	第52-57页
致谢	第57-58页
攻读学位期间发表的学术论文	第58页