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In-N共掺杂制备p-ZnO薄膜及ZnO其它相关掺杂研究

摘要第1-9页
Abstract第9-12页
第一章 前言第12-16页
第二章 文献综述第16-39页
   ·ZnO的基本性质第16-18页
   ·ZnO的形态结构第18-21页
     ·ZnO体单晶第19页
     ·ZnO薄膜第19-20页
     ·ZnO纳米结构第20-21页
   ·ZnO的性能第21-27页
     ·ZnO的能带结构第21-23页
     ·ZnO的光电性能第23-26页
     ·ZnO的压电和热电特性第26-27页
     ·ZnO的铁电和铁磁特性第27页
   ·ZnO的应用第27-30页
   ·ZnO的缺陷第30-32页
     ·ZnO中的点缺陷第31页
     ·ZnO中的线缺陷和堆垛层错第31-32页
   ·ZnO的掺杂第32-39页
     ·ZnO的n型掺杂第32页
     ·ZnO的p型掺杂第32-39页
第三章 直流反应磁控溅射原理和工艺第39-50页
   ·实驻设备第39-41页
   ·直流反应磁控溅射技术原理第41-45页
   ·实验工艺过程第45-47页
   ·性能评价第47-50页
第四章 In-N共掺实现p-ZnO的可行性分析第50-64页
   ·Yamamoto的共掺理论第51-52页
   ·Wang的共掺理论第52-53页
   ·Yan和Zhang的共掺理论第53-54页
   ·我们的思考和评论第54-55页
   ·In-N共掺实现p-ZnO可行性分析第55-61页
     ·从系统Madelung能量角度分析第56-57页
     ·从N受主能级的态密度角度分析第57-60页
     ·从电负性角度分析第60-61页
   ·In-N共掺制备p-ZnO现状分析第61-62页
   ·本章小结第62-64页
第五章 In-N共掺ZnO薄膜的p型表现第64-78页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜的晶体质量第64-66页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜的电学性能第66-67页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜的光学性能第67-69页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜的成分分析第69-72页
   ·衬底温度对In-N共掺ZnO薄膜电学性能的影响第72-73页
   ·衬底对In-N共掺ZnO薄膜性能的影响第73-76页
   ·本章小结第76-78页
第六章 In含量对In-N共掺ZnO薄膜的影响第78-92页
   ·In-N共掺ZnO薄膜和靶材中In含量的对应关系第78-80页
   ·In含量对In-N共掺ZnO薄膜电学性能的影响第80页
   ·In-N共掺ZnO薄膜的电学输运机制第80-82页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜中In、N元素的XPS分析第82-83页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜关于最佳In含量的讨论第83-86页
   ·In-N共掺p-ZnO薄膜的光致发光第86-90页
   ·本章小结第90-92页
第七章 村底温度对In-N共掺ZnO的影响第92-102页
   ·衬底温度对In-N共掺ZnO薄膜性能的影响第93-95页
   ·衬底温度影响In-N共掺ZnO薄膜导电类型的机制第95-96页
   ·缓冲层对In-N共掺p-ZnO薄膜性能的改善第96-98页
   ·In-N共掺ZnO同质p-n结的制备第98-100页
   ·我们的思考和展望第100页
   ·本章小结第100-102页
第八章 ZnO其它相关掺杂研究:退火温度对ZnO:Li薄膜的影响第102-110页
   ·引言第102-104页
   ·实验参数第104页
   ·退火温度对ZnO:Li薄膜电学性能的影响第104-105页
   ·p-ZnO:Li薄膜关于最佳退火温度的讨论第105-107页
   ·p-ZnO:Li薄膜的光致发光第107-109页
   ·本章小结第109-110页
第九章 ZnO其它相关掺杂研究:Ar/O_2比对Cd_xZn_(1-x)O薄膜的影响第110-121页
   ·引言第110-113页
   ·实验参数第113页
   ·Ar/O_2比对Cd_xZn_(1-x)O薄膜晶体质量的影响第113-115页
   ·Ar/O_2比对Cd_xZn_(1-x)O薄膜带隙的影响第115-117页
   ·Cd_(0.1)Zn_(0.9)O薄膜的XPS分析第117-119页
   ·Cd_(0.1)Zn_(0.9)O薄膜的表面形貌分析第119-120页
   ·本章小结第120-121页
第十章 结论第121-124页
参考文献第124-133页
致谢第133-134页
作者博士期间发表的论文第134-135页

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