| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪言 | 第13-31页 |
| §1 研究背景：有机半导体的发展 | 第13-14页 |
| §2 有机场效应晶体管的发展与应用 | 第14-22页 |
| ·有机场效应晶体管的发展 | 第14-18页 |
| ·OFET的应用 | 第18-22页 |
| §3 OFET在现代平板显示领域中的地位 | 第22-25页 |
| §4 目前OFET存在的问题与研究热点 | 第25-27页 |
| §5 本文的主要研究内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 有机场效应晶体管材料 | 第31-48页 |
| §1 有机半导体材料 | 第31-33页 |
| §2 有机场效应材料的分类 | 第33-42页 |
| ·根据分子大小划分 | 第34-35页 |
| ·根据载流子传输类型划分 | 第35-41页 |
| ·有机场效应材料中存在的问题和发展 | 第41-42页 |
| §3 其它类型材料 | 第42-44页 |
| ·绝缘材料 | 第42-43页 |
| ·电极材料 | 第43-44页 |
| §4 本章小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 第三章 有机场效应晶体管基本工作原理 | 第48-68页 |
| §1 OFET的基本结构 | 第48-50页 |
| §2 OFET中载流子传输机理 | 第50-57页 |
| ·有机半导体中的跳跃传输机制 | 第51-52页 |
| ·不同模型下的跳跃机制 | 第52-56页 |
| ·迁移率对场强的依赖性 | 第56-57页 |
| §3 OFET中的载流子分布形式 | 第57-62页 |
| ·场效应晶体管中载流子的三种可能分布形式 | 第57-60页 |
| ·不同偏压下OFET中的载流子分布 | 第60-62页 |
| §4 OFET的电流—电压特性 | 第62-65页 |
| ·OFET未饱和时的I—V特性 | 第62-63页 |
| ·OFET饱和时的I—V特性 | 第63-65页 |
| §5 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第四章 有机场效应晶体管的研制 | 第68-104页 |
| §1 OFET的材料的选择原则 | 第68-71页 |
| ·有机半导体材料对OFET的影响 | 第68-69页 |
| ·电极材料的对OFET的影响 | 第69-70页 |
| ·绝缘层材料对OFET的影响 | 第70-71页 |
| §2 OFET材料的确定 | 第71-73页 |
| §3 有机半导体薄膜的制备 | 第73-76页 |
| ·酞菁铜的性质 | 第73-74页 |
| ·酞菁铜材料的应用 | 第74页 |
| ·酞菁铜薄膜形成工艺 | 第74-76页 |
| §4 有机场效应晶体管的制备和工艺研究 | 第76-101页 |
| ·基于聚酰亚胺的OFET的研制(底部接触结构) | 第76-84页 |
| ·基于聚四氟乙烯的OFET的研制(倒置的顶部接触结构) | 第84-91页 |
| ·基于SiO2的OFET的研制(顶部电极接触OFET) | 第91-101页 |
| §5 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第五章 OFET中有机层／绝缘层的表面和界面特性研究 | 第104-119页 |
| §1 引言 | 第104-105页 |
| §2 AFM与XPS测量方法与原理 | 第105-107页 |
| ·原子力显微镜(AFM)测量原理 | 第105页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)基本原理 | 第105-107页 |
| §3 CuPc／SiO2结构的表面和界面特性研究 | 第107-117页 |
| ·CuPc性质 | 第108页 |
| ·实验 | 第108-109页 |
| ·结果和讨论 | 第109-117页 |
| ·结论 | 第117页 |
| §4 本章小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-119页 |
| 第六章 OFET的模拟 | 第119-128页 |
| §1 各参数对OFET性能的影响 | 第119-122页 |
| §2 接触电阻对OFET的影响研究 | 第122-126页 |
| §3 本章小结 | 第126-128页 |
| 第七章 结论与展望 | 第128-132页 |
| 附录 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133页 |
